5.5半导体材料的电导 5.5.1半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷: 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷,对材料的物理性能、化学 性能产生决定性的影响

一、双折射的概念 由于折射率与原子紧密堆积有关,所以对于各向 异性材料,在不同的方向上表现出不同的折射率 值,因此,当光束通过各向异性介质的表面时, 由于在各方向上的折射程度不同,折射光会分成 两束沿着不同的方向传播。这种现象称为双折射

核衰变的统计规律 在一定时间内放射性原子核的衰变数、带电粒子在介质中损耗能量所产生的离子对数,都是随机 的,即有统计涨落。在任何一次核衰变测量中,即使所有的测量条件都是稳定的,如源的放射性活 度、源的位置、探测器的工作电压等都保持不变,多次记录探测器在相同时间内所测到的粒子数目就 会发现,每次测到的计数并不完全相同,而是围绕某个平均数值上下涨落

1-1热量传递的三种基本方式 热量传递有三种基本方式导热、对流和热辐射。 1导热 物体各部分之间不发生相对位移时,依靠分子、原子及自由 电子等微观粒子的热运动而产生的热量传递过程称为导热(或称热 传导)

一、记忆题(20个) 1、写出下列热力学量的数量级及单位,N,洛喜密脱数,Trm=,k= 2、写出下列基本热力学量的数量级及单位:常温下分子运动平均速率的数量级 标准状态下气体分子的平均,原子或分子的线度d 及质量m

8.1粒子在中心力场中的运动问题 设电子与原子核的约化质量为=m,V(r)=-e,哈密顿量为

4.7能态密度和费密面 1.能态密度函数原子中的电子的能量是一系列分立的能级,在固体中电子的能量由一些准连续的能级形成的能带

7-1卤代烷的分类; 7-2卤代烷的命名; 7-3卤代烷的制法; 7-4卤代烷的物理性质;7-5卤代烷的化学性质 7-6亲核取代反应机理[SN反应的历程和立体化学(SN1、SN2)] 7-7影响亲核取代反应的因素(R的结构:L离去基团:Nu的亲核性;溶剂) 7-8消除反应的机理[B-消去的历程(1,e2,ecb)] 7-9消除反应的取向; 7-10影响消除反应的因素;双键位置对卤原子活泼性的影响

近自由电子模型中假定周期性势场的起伏很小,可以将其看作是微扰,对一些金属计算得到的 能带结果和实验结果是相符的。 但在实际的固体中,在原子核附近,库仑吸引作用使周期性势场偏离平均值很远,在离子实内 部势场对电子波函数影响很大,其波函数变化剧烈。显然势场不能被看作是起伏很小的微扰势场

§12-1 磁介质对磁场的影响 §12-2 原子的磁矩 顺磁质和抗磁质 §12-3 磁介质的磁化 磁场强度 §12-4 铁磁质