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全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:275KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是() A.最大整流电流大,最高工作频率高 B.最大整流电流小,最高工作频率高 C.最大整流电流大,最高工作频率低 D.最大整流电流小,最高工作频率低
安徽医科大学:《病理生理学 Pathophysiolog》课程电子教案(PPT课件)第二章 水、电解质代谢紊乱 Distempered metabolism of the water and electrolyte
文档格式:PPSX 文档大小:673.94KB 文档页数:65
一、水、钠代谢紊乱 (一) 正常水、钠代谢 (二) 水钠代谢障碍的分类 (三) 低钠血症 (四) 高钠血症 (五) 细胞外液容量不足 (六) 水肿 二、钾代谢紊乱 正常钾代谢 钾代谢障碍 低钾血症 高钾血症
低温燃烧法合成纳米二氧化钛粉体研究
文档格式:PDF 文档大小:565.99KB 文档页数:5
采用一种简便、快速、低温的溶胶凝胶自蔓延燃烧法制备了纳米TiO2粉体颗粒.从柠檬酸络合反应的机理阐释了纳米TiO2粒子的形成过程.通过热综合分析、X射线衍射和透射电镜分析探讨了金属离子与柠檬酸的摩尔比和溶液杂质离子的存在对TiO2粉体颗粒物相组成及粉末晶粒尺寸大小的影响.本实验制备了粒径为40~90 nm分散性较好的球形状TiO2纳米颗粒.X射线衍射结果表明,当摩尔比为0.5时,自燃合成产物中金红石相的质量分数达到91%
清华大学:《信号与系统》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六章 复习
文档格式:PPT 文档大小:434KB 文档页数:43
第六章 复习 1.求系统的频率响应IKja的三种方法? 2.非周期信号激励下的系统响应 3.正弦周期信号激励下的系统响应 4.理想低通滤波器及其冲激响应、阶跃响应、矩形激励响应 5.巴特沃兹低通滤波器的设计 6.周期信号激励下的系统响应 7.书上目录的 6.7, 6.9, 6.11 6.12
广东海洋大学:《数字信号处理 Digital Signal Processing》课程教学资源(PPT课件讲稿)第三章 无限长单位脉冲响应(IIR)滤波器的设计方法
文档格式:PPS 文档大小:2.76MB 文档页数:156
◼ 3.1 IIR滤波器设计(两种方法) ◼ 3.2 模拟滤波器到数滤波器转换 ◼ 3.3 模拟低通到各种数字滤波器的频率变换 ◼ 3.4 数字低通到各种数字滤波器的频率变换
《移动网络接通率呼损分析》讲义
文档格式:DOC 文档大小:1.73MB 文档页数:21
由于这几种呼损占全部呼损的90%以上,因此对10月21日-11月12日的晚忙时 18:00-19:00进行了详细的统计,选择这个时段的具体原因是晚忙时系统接通率较低, 晚忙时18:00--21:00中18:00-19:00的话务量最高,也是这个晚忙时最低的时段
低速高混合比水平气力输送临界速度
文档格式:PDF 文档大小:444.75KB 文档页数:5
通过分析水平气力输送系统悬挂式电子称量装置的固体物料输送量记录曲线,判定了输送状态的稳定性.进而提出了中细颗粒(ds ≤ 0.5mm)、高混合比(μs=30~150)、水平低速(ug<15m/s)输送临界速度的经验关联式
三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)课程考试试卷
文档格式:DOC 文档大小:94.5KB 文档页数:3
一、选择填空(选择一个正确答案填在扩号内,每小题5分,共30分) 1、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入
低碳锰钢中周期性带状组织
文档格式:PDF 文档大小:502.77KB 文档页数:6
用扫描电镜和电子探针研究了低碳锰钢中的周期性带状组织。结果表明,在全部研究用钢中,钢锭经热轧后均出现这种组织,其严重程度随钢的成分而异,并随坯到带加工顺序而增加。带状组织与锰的显微偏析等因素有关。适当的调整碳锰比及形成横跨铁素体带的转变产物可降低带状组织的严重程度
SrCeO3基高温质子导体的制备与性能测定
文档格式:PDF 文档大小:586.22KB 文档页数:6
添加H3BO3,SrCl2或SrF2等助熔剂显著提高了焙烧得到的SrCe0.95Yb0.05O3-α陶瓷粉料的比重。添加2%SrF2使比重接近理论值。用此陶瓷粉料在较低温度较短时间条件下烧结即可得到密度符合固体电解质要求的烧结体。DTA、TG、XRD分析结果表明,助熔剂促使SrCeO3在较低温度下开始生成并使反应完全。交流阻抗谱、氢浓差电池电动势测定结果表明,助熔剂对电导率、离子活化能无明显影响。973K以下温度的质子迁移数接近1
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