回声状态网络是近年来新兴的一种递归神经网络,独特而简单的训练方式以及高精度的训练结果已使其成为当前研究的热点之一.在该网络中,引入了储备池计算模式这一新的神经网络的建设方案,克服了之前网络模型基于梯度下降的学习算法所难以避免的收敛慢和容易陷入局部极小等问题.围绕这种新型网络结构,国内外许多学者开展了多样的研究.本文全面深入介绍了回声状态网络这一新兴技术,讨论了回声状态网络的优缺点,并综合近年的研究现状,总结了回声状态网络的主要研究工作进展和未来的研究方向

对过共晶高铬铸铁近液相线溶化后的凝固过程进行脉冲电流处理，研究了脉冲电流参数（脉冲电压和频率）对凝固组织的影响.发现脉冲频率和电压的增大都有助于过共晶高铬铸铁凝固组织中碳化物的细化和粒化.脉冲频率的增大促进大量细小颗粒状初生碳化物的析出，离异共晶现象变得更加明显，层片状共晶碳化物减少.脉冲电压的增加促进初生碳化物细化和粒化，片状共晶碳化物变短.过高的电压也促进离异共晶，导致更多的初生碳化物的形成

2008英语四级作文常用语句 开篇使用 1、Many nations have been faced with the problem of... 许多国家都面临着**问题 2、Recently the problem has been brought into focus. 近来,**问题成为焦点 3、Recently the phenomenon has become a heated topic. 近来,现象成为热点话题

固体电解质定氧电池已广泛地在炼钢及其他工业应用。本文对定氧电池的最近进展、用途及今后展望作了总结性的评述。国内定氧电池的历史发展、测头试制和运用作了简略的讨论。作为控制炼钢操作、改进钢锭质量、节约铁合金消耗等的手段,对定氧电池在下列几方面的应用作了较多的讨论:1.顶吹氧气转炉终点的控制;2.半镇静钢及沸腾钢脱氧的控制;3.连铸铝镇静钢余铝量的估计;4.易切削钢硫化夹杂物形态的控制;5.配合计算机定氧电池在炼钢的在线应用。在本文的最后部分,对定氧电池的存在问题及误差来源,特别对固体电解质的电子导电及抗热震性以及提高低含氧量测定的准确度等问题进行讨论。此外,对测定其他元素例如氮、氢、硫及碳的电池也作了简单的介绍

建立了包含裂纹缺陷的二维金属板模型.采用有限元方法，对具有不同深度裂纹的材料内部超声波场进行计算，获得了不同裂纹深度金属材料上表面的回波信号，分析了裂纹深度对超声波传播特性的影响规律.进一步分离提取不同阶次底面回波的频谱特征，获得了由裂纹缺陷引起的超声衰减系数随频率的变化关系.最后提出了通过底面回波频谱图辨识近表面裂纹缺陷的方法

本书以教育部制订的“高等工科院校电路、电路分析课程基本要求”为依据,参阅了国内出 版的电路、电路分析最新教材,并大量收集、研究了各院校近年的电路、电路分析课程考研试题 后而编写。本书从应试出发,全面总结、归纳了电路课程的基本内容、基本概念、重点、难点、各 种分析和计算方法,以及这些概念和方法在解题中的应用。每一章均选有典型题作例题,给出 解题思路和解题方法;每章末还有阶段测试题,并给出答案。全书最后选编了四套考研电路模 拟试题和近五年西安交通大学研究生入学考试电路试题,并给出参考答案。 本书可作为报考相关专业硕士研究生的主要复习参考书,也可作为在校大学生学习电路 课程的辅导教材和参考书

在跨世纪的教育改革的大潮中,“联系实际和加强应用”已经 成为数学教育改革的一个重要的方面高等院校近年来普遍开设 了以培养应用数学知识解决实际问题的能力为主要目的的“数学 模型”课(或“数学建模”课).在基础教育界以培养应用数学的理论 和方法解决实际问题的能力为目标的“问题解决”(Problem Solv- ing)已经成为中学数学教育改革中受人关注的一个热点,由于它 的出现适应了当前科技和教育发展的形势近20年来的发展历程 表明它经受住了时间的考验,并且仍然保持着强劲的发展势头、 当今的数学已经不仅仅是超脱于一切客观事物的抽象的理 论,它渗透到了社会生活的方方面面,成为一种普遍的

当前对火焰炉窑及燃烧室的分析计算,综合应用了计算流体力学、湍流模型、多相流模型、湍流燃烧模型,火焰传热模型及计算方法,并与有关的实验研究相结合,目前已发展到一个新的水平,本文的目的就是在一篇短文中扼要介绍最近的这些情况,并通过国外最近对一座玻璃熔炉的计算,说明目前的计算方法已足够发展为一种重要的设计手段,需要引起更广泛的重视

本文通过在EM400T透射电镜上用一些标准成分的样品进行薄膜无标样成份分析实验,检验了EDAX9100能谱仪的分析准确度。在本试验所用的样品范围内,其准确度为:近邻元素同一X光线系分析相对误差为5~10%,非近邻元素不同线系分析相时误差较大,可达20~50%。试验证明在分析元素的质量吸收系数之差Δμ较大时,还必须考虑吸收修正。通过对K因子的讨论,得出与本实验结果符合比较好的薄膜能谱理论公式组合为:取BeThe-Powell公式的电离截面QBP∞(1n0.65U)/U·Ej2,K系、L系、M系的线系常数调整后取bK:bL:bM=0.35:0.35:0.24,荧光产额用Bambynek的ωK和wentzel的ωL和ωM。用以上公式组合并经过吸收修正,对所有线系计算结果相对误差小于10%

本文对电镀锡和含64～76%Sn的铅锡镀层的铜导线进行了铜锡金属间化合物生长速度的研究。在100±1℃和155±2℃的温度下,经不同的老化时间后测定了化合物层的厚度,并得到了化合物生长厚度与时间、温度的关系式。实验测得在共晶成分附近的铅锡镀层其化合物生长速度快于纯锡镀层。引线在室温下放置近一年未发现可见的化合物层。本文还讨论了剩余镀层厚度与引线可焊性的关系