通过测量不同工艺条件下玻璃绝缘子中的气孔率和最大气泡直径,以及观察底盘表面的玻璃飞溅情况,研究了熔封气氛、熔封温度、熔封时间、氧化膜类型和厚度对玻璃绝缘子中气孔率和玻璃飞溅的影响.结果表明,玻璃绝缘子中气孔率与可伐合金底盘表面的飞溅程度有一定的关系.可伐合金表面Fe3O4氧化物与玻璃中SiO2发生化学反应是玻璃绝缘子中气泡的一个重要来源,也是引起玻璃飞溅的因素.熔封气氛和氧化膜厚度对气孔率和玻璃飞溅影响最大.推荐的工艺条件是在可伐合金表面生成厚度约1μm的FeO氧化膜,然后与玻坯在950~980℃工厂条件的气氛中熔封30~40 min

用二次压缩方法测定了含硼面心Fe-30%Ni合金1000℃热变形10%和40%后保温时的软化率曲线,并由此估计了再结晶过程.用径迹照相方法(PTA)研究了再结晶过程中运动晶界反常偏聚规律以及形变量对反常硼偏聚的影响.用定量统计方法测量了不同形变量下,运动晶界的硼偏聚量.结果表明,新晶粒长大过程中,晶界反常偏聚量与形变量、晶界运动速度等因素有关.并用半定量的方法估算了不同形变量下,再结晶新晶粒长大过程中新晶粒边界向变形晶粒推进时的平均速度.用晶界展宽机制对此现象进行了讨论

心理学 教育学 普通话 教育技术学导论 教育传播学 教育技术学研究方法 学习科学与技术 教学系统设计 创新思维与创新方法 摄影技术基础 摄像技术 计算机网络 数据库原理与应用 面向对象程序设计 数据结构 创意美术基础 构成设计 平面设计与二维动画制作 三维建模与动画设计 电视节目编导与制作 非线性编辑 专业英语 虚拟现实技术教育应用 教育软件工程 信息技术课程教学法 现代教育技术装备与环境 教育评价与测量 培训方案与课程设计 产品设计 模拟电路与数字电路 模块化编程与传感器应用 中小学 STEAM 教育与创新教育 知识管理与绩效技术 数字音频技术 中小学创意课程开发与实践 数字影视创作 人工智能概论 教育技术前沿 智慧教育与智慧校园 现当代文学经典鉴赏 中国文化概论 东西方文化与礼仪 健康体适能

《教育技术学导论》教学大纲 《教育传播学》 《教育技术学研究方法》 《学习科学与技术》 《教学系统设计》 《创新思维与创新方法》 《摄影技术基础》 《摄像技术》 《计算机网络》 《数据库原理与应用》 《面向对象程序设计》 《数据结构》 《创意美术基础》 《构成设计》 《普通话》 《平面设计与二维动画制作》 《三维建模与动画设计》 《电视节目编导与制作》 《非线性编辑》 《专业英语》 《虚拟现实技术教育应用》 《教育软件工程》 《信息技术课程教学法》 《现代教育技术装备与环境》 《教育评价与测量》 《中小学 STEAM 教育与创新教育》 《产品设计》 《模拟电路与数字电路》 《培训方案与课程设计》 《模块化编程与传感器应用》 《知识管理与绩效技术》 《数字音频技术》 《中小学创意课程开发与实践》 《数字影视创作》 《人工智能概论》 《教育技术前沿》教学大纲 《智慧教育与智慧校园》 《现当代文学经典鉴赏》 《中国文化概论》教学大纲 《东西方文化与礼仪》 《健康体适能》

4.1地球椭球基本参数及其互相关系 4.2 椭球面上常用坐标系及其关系 4.2.1 各种坐标系的建立 4.2.2 坐标系之间的相互关系 4.3 椭球面上的几种曲率半径 4.4 椭球面上的弧长计算 4.5 大地线 4.6 将地面观测值归算至椭球面 4.7.1 大地主题解算的一般说明 4.7.2 勒让德级数式 4.7.3 高斯平均引数正算公式 4.7.4 高斯平均引数反算公式 4.7.5 白塞尔大地主题解算方法 4.计算球面长度 4. 计算反方位角 4.8 地图数学投影变换的基本概念 4.8.3 地图投影的分类 4.9 高斯平面直角坐标系 4.9.2 正形投影的一般条件 4.9.3 高斯投影坐标正反算公式 4.9.4高斯投影坐标计算算例 4.9.5 平面子午线收敛角公式 4.9.6 方向改化公式 4.9.7 距离改化公式 4.9.8 高斯投影的邻带坐标换算 4.10 横轴墨卡托投影和高斯投影簇的概念 4.10.1通用横轴墨卡托投影概念 4.10.2高斯投影簇的概念 44.11 兰勃脱投影概述 4.11.1兰勃脱投影基本概念 4.11.2兰勃脱投影坐标正、反算公式 4.11.3兰勃脱投影长度比、投影带划分及应用

（一）理论课程 1《微机原理及接口技术》 2《计算机网络技术》（理论） 3《数字信号处理》 4《数字图像处理》（理论） 5《专业英语》 6《EDA 技术》课程理论教学大纲 7《单片机原理》课程理论教学大纲 8《汽车电子技术》 9《电气制图及 CAD》 10《电路原理 A》 11《模拟电子电路 A》 12《数字电子电路》 13《文献检索》 14《电磁场与电磁波》 15《算法与数据结构》 16《电子信息工程导论》 17《通信电子电路》 18《信号与系统》 19《通信原理 B》 20《机器人技术》（理论） 21《DSP 技术及应用》 22《信息论与编码》 23《移动应用软件开发》 24《面向对象程序设计》 25《智能控制技术》 26《移动互联网技术》 27《物联网与云计算》 28《软件工程》 29《人工智能导论》（理论） 30《电子测量技术》 31《传感器原理与应用》（理论） 32《ASPNET 程序设计》 33《嵌入式系统原理与设计》（理论） 34《工程项目管理与经济决策》 35《Python 程序设计》理论 36《智能建筑系统集成》 （二）实验课程 37《微机原理及接口技术》 38《计算机网络技术》（实验） 39《数字信号处理》 40《数字图像处理》（实验） 41《EDA 技术》课程 42《单片机原理》课程 43《通信电子电路》 44《电子技术基础实验》 45《电路原理实验》 46《信号与系统》 47《通信原理 B 实验》 48《人工智能导论》（实验） 49《传感器原理与应用》 50《嵌入式系统原理与设计》（实验） 51《Python 程序设计》实验 （三）实践课程 52《电工电子实习》 53《印制板微机辅助设计》 54《专业认知实习（1）》 55《专业认知实习（2）》 56《毕业设计（论文）》 57《电子系统综合实训》 58《C 语言程序概念实训》教学大纲 59《程序设计技能实训》 60《EDA 课程设计》课程设计教学大纲 61《嵌入式系统原理与设计》课程设计教学大纲 62《单片机原理》课程设计教学大纲

采用开尔文探针技术(SKP)测量AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样在盐雾加速实验中的电偶腐蚀规律.研究表明:AZ91D镁合金的电偶腐蚀效应受到阳极与阴极的电位差的影响,AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样之间的伏打电位差约为-1.22V,AZ91D镁合金存在显著的电偶腐蚀效应.由于存在较大的伏打电位差,在盐雾实验初始阶段,电偶腐蚀主要发生在偶接界面AZ91D镁合金一侧附近区域,而H62黄铜没有发生明显腐蚀.由于AZ91D镁合金在盐雾中生成的腐蚀产物对基体具有一定的保护作用,AZ91D镁合金表面腐蚀产物与基体间存在显著的伏打电位差,导致AZ91D镁合金基体形成新的腐蚀产物.因此,随着盐雾实验时间延长,AZ91D镁合金电偶腐蚀效应降低,H62铜合金腐蚀加快

应用射频溅射技术制备了面心立方结构的Fe1-xNix/Cu(x=0.26~0.54)金属超晶格.Mgo单晶衬底的采用以及在面心立方结构的Cu上实施外延等措施保证了在Ni质量分数低至0.26时Fe-Ni合金层仍保持了良好的面心立方的晶体结构,而且直到液氦温区这种面心立方结构仍是稳定的.磁性测量表明,当Fe-Ni合金层的Ni质量分数低至接近因瓦合金成分(x=0.35)时,其饱含磁矩呈下降趋势,即表现出偏离Slater-Pauling规律的倾向.同时,面心立方结构的Fe-Ni合金层的饱合磁矩有很强的温度依赖性,表明面心立方结构的Fe-Ni合金中饱含磁矩对Slater-Pauling规律的偏离与所谓的马氏体预相变无关,而与合金中Fe-Fe原子对的反铁磁性耦合有关

本文利用1000kV超高压电镜、穆斯堡尔谱仪、X射线衍射仪和磁测量仪等对Nd-Fe-B永磁合金中的富硼相进行了研究。结果表明:富硼相以1个孤立的相存在于Nd-Fe-B永磁合金中,它一般位于基体相Nd2Fe14B的三角晶界处,占据的体积份数为4.6%,富硼相中有高密度的缺陷存在,这些缺陷的方向垂直于$\\vec C$轴。富硼相的化学式可以写为Nd1+εFe4B4(s≈0.1),该化合物由2套亚结构,即Fe-B亚结构和Nd亚结构相互套穿而成。2个亚结构均具有四方对称,在四方基面上的晶格常数相同,但沿$\\vec C$方向却有不同的周期,所以富硼相可能为一维的成分变化型无公度结构。在室温下富硼相呈顺磁性,能够在磁体中钉扎畴壁而提高矫顽力,富硼相的显微结构和温度有关,由矫顽力对温度的依赖关系和电镜观察表明富硼相对畴壁的钉扎可能属于强钉扎

Ruhrstahl-Hereaeus (RH)上升管内的气液两相流是整个装置的重要动力源,并对钢液的流动、混匀及精炼过程有重要影响.上升管及真空室内的气液两相流决定了钢包内钢液的流动状态,为了研究真空室及上升管内气液两相流,通过1:6的300 t RH的物理模型模拟了RH上升管及真空室内气泡行为过程,并测量了RH循环流量的变化用于计算上升管内含气率以及气泡运动速度最终得到气泡在真空室内的停留时间,同时记录了气泡在真空室内的存在形式.气泡在真空室的存在形式的主要影响因素为提升气体流量,研究发现了气泡从规则独立的大气泡经历聚合长大,碰撞破碎成小气泡,最后变成小气泡和不规则大气泡共存的现象.液面高度达到80 mm之后,气泡在真空室内的停留时间达到一个平衡值,不再随真空室液面高度的增加而发生改变.当提升气体量达3000 L·min-1,气泡停留时间减小趋势弱,对应3000 L·min-1情况下,真空室内气泡开始聚合长大.研究认为对于300 t RH的真空室液面高度应为80 mm,提升气体量应在3500 L·min-1左右,优化后,脱碳时间由原工艺的21.4 min缩短至现工艺的17.5 min