利用建立的用于强腐蚀性气氛高温腐蚀研究的连续称重测量装置,测定了Fe-25Cr铁素体合金在H2-H2S混合气氛中700~900℃及10-1~10-3Pa硫分压条件下的硫化行为。在经过初始孕育期之后,Fe-25Cr合金的硫化动力学符合分段抛物线规律。其腐蚀产物是双层结构:外层为品粒粗大的(FeCr)1-xS(x≈0.24.21at%~0at%Cr);内层是较薄的(CrFe)Sx(26.8at%Cr)等轴晶层。硫化过程受Fe,Cr离子向外扩散的控制

利用高温高压反应釜模拟了N80钢在CO2分压1MPa、温度90℃、流速1m·s-1条件下地层水中不同时间的腐蚀行为,并应用SEM、EDS和XRD等微观分析手段研究了腐蚀产物膜的微观形貌、成分和结构特征,探讨了腐蚀产物膜的形成机制.结果表明:在腐蚀开始阶段(8h),腐蚀产物主要为Fe3C,并有少量的FeCO3形成.随着腐蚀的进行(72h后),腐蚀产物膜基本上为FeCO3.腐蚀产物膜由内外两层构成:内层膜是溶液中HCO3-不断透过膜进入膜/基界面与基体反应形成,并使膜/基界面不断向内推进;外层膜是由于溶液中Fe2+和CO32-的浓度超过FeCO3的容度积,FeCO3晶体在内层膜表面形核并长大而形成.外层膜的晶粒比较细小、致密.内层膜与外层膜的界面结合比较弱,而内层膜与基体的结合比较强

首先搭建具有高精度面投影微立体光刻设备，通过理论分析和实验相结合的方法获得最优打印工艺参数，然后提出一种可用于模拟地层岩心的微球堆叠岩心模型，并通过分析岩心模型成型机理，选取具有更高成型精度的堆积方式对岩心模型进行设计。该模拟岩心制造方法具有对特殊岩心结构制造的高适应性，为实验室显微镜下研究多种EOR技术微观驱替机理提供了新思路

7.1 存储系统的层次结构 7.2 高速缓冲存储器(cache) 7.2.1 Cache的命中率 7.2.2 Cache存储器组织 7.2.3 cache 存储器举例 7.2.4 多层次Cache存储器 7.3 虚拟存储器 7.3.1 虚拟存储器概述 7.3.2 页式虚拟存储器 7.3.3 段页式虚拟存储器 7.3.4 虚拟存储器工作的全过程 7. 3. 6存储管理部件（MMU） 7.4 相联存储器 7.5 双端口存储器

第4章半导体存储器及其接口 本章主要教学内容 一、冸导体存储器的分类和性能、存储器系 二、统的层次结构 三、随机存取存储器RAM和只读存储器 四、ROM的特性、功能和原理 五、存储器与CPU的连接方法 六、高速缓冲存储器和虚拟存储器技术

一、学习任务的概念 早期教学设计理论认为，学习任务就是学习者要学习的知识和技能的总和， 不包括对知识和技能的加工操作方面的描述。因此，任务分析的主要工作是构 建这种知识和技能的层级结构。对学习任务的这种认识不但不全面，而且也不 符合教学设计的实际情况。我们认为，学习任务是指对学习者要完成的具体学 习内容、学习活动和活动结果的描述

成年人顶部的正常颅内压平均值约为3.62kPa,颅内压波动2.5kPa左右时,颅内压轻度异常;当波动值达到3.5kPa左右时,出现脑震荡的症状;当波动值达到5kPa或更高时,人头颈部达到危重度伤.本文在颅内压正常波动值范围内,通过有限元MSC-PATRAN/NASTRAN软件分析了颅骨三层复合结构以及颅骨与硬脑膜组成的四层复合结构的表面应力和应变;同时,随颅内压变化进行了猪颅骨片,以及模拟人体颅脑真实受力的人颅骨和猪颅骨球冠应变实验.分析结果表明:当颅内压轻度异常时颅骨外表面产生的应变约为1.5×10-6,脑部出现脑震荡的症状时颅骨外表面产生的应变约为2.5×10-6,头颈部达到危重度伤时颅骨外表面产生的应变约为4×10-6.因此,随颅内压的变化颅骨外表面的应变是可测的,且在仪器检测范围内;本文所提出的微创颅内压应变电测法是可行的,即在颅骨外表面粘贴应变片,随颅内压的变化测颅骨应变,通过计算机进行数据处理获得颅内压变化量的方法.与临床上测量颅内压时钻孔或穿刺等方法比较,应变电测颅内压法对患者造成的损伤很小,属于微创或无创范围,具有安全易操作、减少感染、对患者创伤小、可长期测量等特点

以0.1 mol·L-1NaCl+0.01 mol·L-1 NaHSO3溶液为腐蚀介质，采用干/湿周浸加速腐蚀实验、腐蚀失重、X射线衍射、扫描电镜和能谱分析等方法，研究了湿热工业海洋大气中低碳钢的腐蚀行为.结果表明：实验钢的腐蚀过程均遵循幂函数d=Atn分布规律，钢种不同，常系数A、n的值不同；腐蚀产物主要由非晶物质和少量Fe3O4、α-FeOOH、β-FeOOH、γ-FeOOH晶体组成.所得锈层可分为主体锈层和界面疏松带两部分，由内至外锈层中Fe、O含量梯度变化很小.Cl-、SO2与水分的长期协同作用会导致内锈层结构变差，而添加稳定性或耐蚀性较高的元素可以改善锈层质量，进而增强钢材的耐腐蚀性能

基于前驱体合成与氨气氮化两步法，通过对前驱体合成关键参数B源/N源比、分散剂种类、前驱体干燥方式进行调控，实现了大比表面积、少层氮化硼纳米片材料的制备。其优化条件为以硼酸为硼源，尿素为氮源，硼酸与尿素摩尔比为1∶30，甲醇和去离子水作为分散剂，利用真空冷冻干燥方式合成前驱体。将前驱体在氨气气氛下900 ℃保温3 h合成了氮化硼纳米片。利用X射线衍射测试、X射线光电子能谱测试、拉曼光谱测试、热重分析测试等对合成产物进行了物相和结构表征，利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、氮气吸脱附曲线等对合成产物进行了形貌及比表面积表征。结果表明：合成的氮化硼为六方氮化硼纳米片（h-BNNSs），纯度高，形貌类石墨烯，层数为2～4层，厚度平均为1 nm，比表面积为871.8 m2·g?1，单次产物质量平均可达240 mg，合成产物平均产率可达96.7%。该方法简单易操作，实现了大比表面积少层氮化硼的制备，有助于氮化硼在各应用领域的研究，如氮化硼/石墨烯复合材料、纳米电子器件、污染物的吸附、储氢等

研制了一种无机材料构成的验电标识,放置在导线周围,通过电场驱动电子的运动,促进载流子复合,进而使材料发光,从而判断带电情况,其作为验电标识使用非常便捷.选取了氮化镓GaN材料进行研究,以GaN、InGaN等材料为基础,通过溶胶凝胶法、气相外延等方法制备接触层、基片层、材料层等结构,进而获得了验电标识,该验电标识的发光层是具有多量子肼结构的纳米棒阵列.然后对其进行了电学光学性能参数测试,获得了有关特性曲线,通过Ansoft-maxwell有限元软件进行仿真,分析材料在特高压输电线路周围的电场分布,通过试验分析验电标识发光所需求的电磁环境.最后模拟导线现场进行测试.研究表明,该低场致发光特性的验电标识具有发光功耗低,发光明显等优点,其处于所在区域的电场强度达到1.2×106V·m-1以上时,可激发发光,此时所注入电流约为1.1 mA.通过仿真和试验分析可知带电特高压输电线路周围的空间电场强度满足验电标识发光指示的要求,同时空间杂散电流和材料本身的电容效应提供注入电流.该验电标识通过材料本身发光特性来指示带电状态,安装在距离特高压导线轴线13 cm及以内的范围即可实现验电,通过封装具有较好的耐候性能,同时避免了复杂的电路装置验电存在易受电磁干扰,可靠性差等问题