实验一 MCM-22 分子筛的合成、表征及应用.1 实验二 乙炔二茂铁的制备及鉴定 .7 实验三 新型有机半导体材料的设计、合成、性质及其应用研究.13 实验四 双微乳体系制金属纳米粒子及其表征.17 实验五 强酸型阳离子交换树脂的制备及其交换量的测定.19 实验六 配合物键合异构体的红外光谱测定 .23 实验七 离子型化合物的离子交换分离 .26 实验八 环境友好催化剂的研制、性能测定及结构分析.29 实验九 高清晰喷墨数码打印相纸的研制 .42 实验十 光谱法研究生物大分子与小分子相互作用.44

1.3.1 晶体二极管的伏安特性 1.3.2 二极管的直流电阻和交流电阻 1.3.3 二极管模型 1.3.4 二极管应用电路 1.3.5 稳压管及其应用 1.3.6 PN结电容效应及应用 1.3.7 特殊二极管 太阳能电池 光电二极管 发光二极管 肖特基二极管

元素周期表中第 I 族碱金属元素（Li、Na、K、Rb、Cs）与第 VII 族的卤素元素（F、Cl、Br、I）化 合物（如 NaCl， CsCl，晶体结构如图 XCH001_009_01 和 XCH001_010 所示）所组成的晶体是典 型的离子晶体，半导体材料如 CdS、ZnS 等亦可以看成是离子晶体

3.1 PCSS实验与理论研究现状 3.2 半导体材料的光吸收机理 3.3 高偏置电场下载流子分布规律的实验结论 3.4 高偏置电场下载流子散射机制 3.5 GaAs PCSS的线性物理机制 3.6 GaAs PCSS的非线性物理机制

1.3晶向、晶面和它们的标志 1.3.1晶向及晶向指数 1.晶向 通过晶格中任意两个格点 连一条直线称为晶列,晶列的 取向称为晶向,描写晶向的一 组数称为晶向指数(或晶列指数 过一格点可以有无数晶列

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

1.1 半导体中的电子状态 1.2 半导体的电学性质 1.3 半导体的光学性质 1.4 半导体磁学性质

1.半导体材料的分类 2.半导体材料的基础物性 3.半导体的压阻效应 4.半导体敏感元件

3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体

2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体