第一节 塑料包装材料及其制品的食品安全性问题 第二节 橡胶制品的食品安全性问题 第三节 纸和纸板包装材料的食品安全性问题 第四节 金属、玻璃、搪瓷和陶瓷包装材料及其制品的食品安全性问题 第五节 食品包装材料的痕量污染物 第六节 食品包装材料化学污染物摄入量评估

为满足新国家标准对铱标准样品的要求,研制出用于光谱分析的高纯铱基体.通过实验研究,确定了高纯铱基体研制的工艺流程为P204萃取除去贱金属阳离子→N235萃取除去以络合阴离子存在的贵金属杂质→H2还原除铑及其他金属杂质→732#树脂交换除去痕量的贱金属阳离子→NH4Cl沉淀铱、H2还原铱→HF除硅.研制出的铱基体纯度高达99.999%.实验研究全流程铱的直收率为61.99%,铱的总收率为95.26%

研究了锑与碘化钾和罗丹明类染料在HAC-NaAc缓冲溶液(pH5.6)中的极谱行为,探讨了反应机理,提出痕量锑的测定方法。线性范围在锑浓度为0.5~2000ng/ml,检出限0.33ng/ml

研究了硒(Ⅳ)-碘化钾-孔雀绿高灵敏显色体系。确定了该体系用分光光度法测定的最佳条件,并对反应机理作了进一步论证。该方法适用于室温操作,重复性好,摩尔吸光系数为1.2×1051·mol-1·cm-1,可用于直接测定水样中痕量硒的含量

研究了铝(Ⅲ)-铬偶氮酚KS配合物及配位体在乙酸-乙酸铵缓冲溶液(pH6.1)的电化学行为,并探讨了有关机理。提出了痕量铝的测定方法,其线性范围为4～200ng/ml,检出限为1ng/ml。它可用于合金钢中铝的直接测定

当pH=5时镓与桑色素形成配合物吸附在悬汞电极上,产生一个敏锐的还原波。本文探索了最佳条件和共存离子的干扰,其峰电流与镓的浓度成比例,线性范围在1~120ppb,检测下限为0.3ppb。实验方法应用在攀枝花钢厂的钢、铁、矿石和炉渣中镓的测定,结果良好

介绍了活泼金属除气法、等离子体熔炼法和固溶氢原子除气法等稀土金属脱除氧杂质的新方法,详细归纳了将氧杂质含量限制在5×10-5以下的工艺条件.重点介绍新方法中引入活泼金属、氢等离子体、活性固溶氢原子等各种外部驱动因素的设计思想,提出提纯新技术的同时探究了痕量杂质的迁移规律及去除机制,深化对杂质存在形式、行为规律及提纯机理的认识.采用FAST-2D与Stefan数值模拟技术、18O2示踪同位素标记技术、CALPHAD相图数据库模拟计算技术对稀土金属高纯化的新工艺提供理论指导与评价,加深对提纯驱动机制的理解

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

3.1 碳氧化物的生成机理和控制 3.2 有机污染物的生成与控制 3.3 氟化物 3.4 氯化物的生成机理 3.5 痕量重金属元素的迁移转化机理

1适用范围 本方法是用硝酸作消化试剂从水样中提取痕量元素本法适用于各类水,其中水中悬浮 颗粒物质量浓度小于20g/L,总有机碳浓度(以碳表示)小于5g/L 硝酸消化适用于释放水样中Al、As、B、B、Be、Ca、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、g、K、 Mg、Mn、Mo、Na、Ni、P、Pb、Se、Sr、Ti、V、Zn,不适用于释放sb、Sn,不适用于耐 火化合物(如SiO2、TiO2、Al2O3)的消化