6.1模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2差分式放大电路 6.3差分式放大电路的传输特性 6.4集成电路运算放大器 6.5实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响

6.1模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2差分式放大电路 6.3差分式放大电路的传输特性 6.4集成电路运算放大器 6.5实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

集成电路是实现数字系统功能的物质基础，它将各种电路使用的元 件和线路集成到一个半导体晶片中，构成集成电路芯片

数字集成电路的设计形式 全定制设计(ASIC或基于标准单元的设计(CBIC) 半定制设计或基于门阵列的设计(GA) 基于可编程器件(PLD)的设计;

第七章中规模通用集成电路及其应用 集成电路由SSI发展到MSI、LSI和VLSI,使单个芯片 容纳的逻辑功能越来越强。 一般来说,在SSI中仅是基本器件(如逻辑门或触发器) 的集成,在MSI中已是逻辑部件(如译码器、寄存器等)的 集成,而在LSI和VLSI中则是一个数字子系统或整个数字 系统(如微处理器)的集成

6.3.1 简单的集成电路运算放大器 6.3.2 通用型集成电路运算放大器

3.1 集成电路工艺层 3.2 MOSFET 3.3 CMOS工艺层 3.4 FET阵列设计

工程坯流片 IC设计者在集成电路设计开发阶段，为了验证自己所 设计的集成电路是否成功，必须进行工程坯流片。 集成电路设计者自己进行工程坯流片时，往往一片晶 圆上只能验证一个设计项目（产品），而每次工程坯 流片FOUNDRY至少提供6-12片，制造出的芯片数量 将达到成千上万片，远多于设计阶段产品测试所需的 数量。如果设计成功，则可以将多余的芯片作为商品 出售，如果设计中存在问题，则所有芯片全部报废。 然而多数情况下，一个设计需要至少进行两次工程坯 流片才能成功，由此造成了极大人力和财力的浪费

硅基MOS集成电路仍将是微电子技术的主流 微电子工业是国民经济信息化的基石 集成电路是微电子技术的核心， 如果以单位质量的“钢”对国民生产总值的贡献为1来计算，则小轿车为5，彩电为30，计算机100，集成电路是1000