教学内容及教学过程 虚位移原理的应用 例题一如教材P113例4-1 F2 线 K JorB (b) 1、确定研究对象,画出受力图 2、确定自由度,选定广义坐标 确定自由度,选定广义坐标的主要目的在于确定广义坐标的数量,并利用数学关系确定各处的虚 位移及其关系,此处的广义坐标只有一个,即

一、技术分析概述 1.技术分析的概念 2.技术分析的基本假设条件 3.技术分析的要素——价、 量、时、空 二、道氏理论 1.道氏理论的发展 2.道氏理论的内容 3.对道氏理论的批评 三、图形分析 1.K线图分析 2.形态分析 3.趋势分析 四、移动平均线 1.移动平均线的概念 2.移动平均线的特点 3.移动平均线的应用 4.平滑异同移动平均线 五、技术指标 1.相对强弱分析 2.威廉指标和随机指标 3.乖离率指标 4.ADL、ADR和OBOS

本文以NaCl-CaCl2-SrCl2三元计算相图作为\予知图形\采用高灵敏度的微型差热分析仪(简称MDTA)测定了这个三元相图,并注意到盐的过冷对测量的影响。该三元系是三元低共晶系,低共晶点E的组成为41.9mol%NaCl,40.8mol%CaCl2,18.1mol%SrCl2,温度为744K。其中CaCl2-SrCl2一侧单变线的起点K对应的温度为823K,液相组成为24.8mol%NaCl,50.1mol%CaCl2,25.1mol%SrCl2。这个实测三元相图对了解熔盐电解质的性能和盐湖资源的综合利用有实际意义。同时为检验电荷不对称三元熔盐系相图计算的热力学模型的可靠性提供了例证

5.4 已知某 RAM 芯片的存储容量为 16KB，ROM 芯片的存储容量为 4K×8 位，问每种 存储芯片的地址线和数据线分别为多少？

fiberfibre光纤,纤维 emerge[i'm:d]ⅵ.出现,形成,浮现 emergence[i'm:3ns]n.浮现,出现 haul[h:1jvt.用力托;n.拖,拉,拖运的距离 long-haul长运距的,长途的 trunk[tr∧k]n.干线,中继线,中继线路,局内线 dominate[' d om i ne i t]vt.支配,统治;处于支配地位

RMS算法是K.S.Chandra等人1982年提出的一种可用于非光滑函数的线搜索优化算法[1]它具有调用函数次数少,CPU时间短等突出优点。本文补充了文献[1]中未讨论的退化情况,并对RMS算法加以修改,使其理论上趋于完善。本文还论证了在一定条件下RMS算法的收敛性

若在i相混合物（重$\\sum {{\\rm{g}}_1}$克）中加入标准物质S的粉末（重gs克）时,可列出以下联立方程\\[\\left\\{ \\begin{array}{l}\\frac{{{{\\rm{V}}_{\\rm{1}}}}}{{{{\\rm{V}}_{\\rm{s}}}}}{\\rm{ = }}\\frac{{{{\\rm{I}}_{\\rm{1}}}}}{{{{\\rm{I}}_{\\rm{s}}}}}{\\rm{ \\bullet }}\\frac{{{{\\rm{K}}_{\\rm{s}}}}}{{{{\\rm{K}}_{\\rm{1}}}}}\\\\{{\\rm{V}}_{\\rm{1}}}{\\rm{ + V = 1}}\\end{array} \\right.\\]式中I为衍射X线的积分强度,K为有关强度因子的乘积。解方程可求出暂设体积分量V。因在以上方程中假设样品仅由i相及标准物质S所组成,所以对于暂设重量分量G也可写出:G1+Cs=1。由V可求出G,又因;\\[{{\\rm{G}}_{\\rm{s}}}{\\rm{ = }}\\frac{{{{\\rm{g}}_{\\rm{s}}}}}{{{{\\rm{g}}_{\\rm{s}}}{\\rm{ + }}{{\\rm{g}}_{\\rm{1}}}}} \\times 100\\% \\]即可求出i物相在混合物样品中的重量g1

采用恒应力强度因子K=33 MPa·m1/2的加载方法,利用直流电压降方法在线监测核辅管道316L不锈钢在高纯水中应力腐蚀裂纹扩展速率.对比200、250、280和325℃温度下,氩气除氧和含有2 mg·L-1溶解氧的水化学环境中材料的裂纹扩展速率发现:溶解氧为2 mg·L-1时的裂纹扩展速率明显比氩气除氧时的裂纹扩展速率高.氩气除氧时,裂纹扩展速率在250℃时有一个最高点;溶解氧为2 mg·L-1的条件下,裂纹扩展速率随温度的升高而升高

本文通过在EM400T透射电镜上用一些标准成分的样品进行薄膜无标样成份分析实验,检验了EDAX9100能谱仪的分析准确度。在本试验所用的样品范围内,其准确度为:近邻元素同一X光线系分析相对误差为5~10%,非近邻元素不同线系分析相时误差较大,可达20~50%。试验证明在分析元素的质量吸收系数之差Δμ较大时,还必须考虑吸收修正。通过对K因子的讨论,得出与本实验结果符合比较好的薄膜能谱理论公式组合为:取BeThe-Powell公式的电离截面QBP∞(1n0.65U)/U·Ej2,K系、L系、M系的线系常数调整后取bK:bL:bM=0.35:0.35:0.24,荧光产额用Bambynek的ωK和wentzel的ωL和ωM。用以上公式组合并经过吸收修正,对所有线系计算结果相对误差小于10%

一、点线面作图题(保留作图线)（本大题共3小题，其中第1小题3分、第2小题3分，第3小题6分，共12分） 1．求作与 ox 轴成45°夹角的铅垂面的水平投影。 2．求作1/4圆球面上 A 点的正面投影和水平投影。 3．在平面 ABC 内求作直线 KL。KL 与 AC 平行，K 点距 A、C 点均为30mm，L 在 BC 线上