学习目标： 理解生产函数的定义和要点，掌握边际生产力递减规律和规模报酬递减规律的内容，了解平均产出和边际产出的关系，平均成本与边际成本之间的关系； 第一节 生产技术 第二节 短期生产函数 第三节 长期生产函数 第四节 成本分析

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

一、填空题(每题2分) 1.信息出现的概率越小,则包含的信息就越 ,某消息的概率为1/16,其信 息 bit. 1111 2.四元离散信源的四个符号出现的概率,分别为(2,4,8,8),此信源的平 均信息量为 四元信源的最大平均信息量为

四十年代中期,青霉素的工业化生产,或深层通风培养技术的出现,标志 近代通风发酵工业的开始。在深层通风培养技术中,发酵罐是关键设备。在发 酵罐中,微生物在适当的环境中进行生长新陈代谢和形成发酵产物

利用电子背散射衍射技术(EBSD)、扫描电镜(SEM)分析了低温取向硅钢常化工艺、渗氮工艺对常化组织、再结晶组织与抑制剂的影响, 对比研究了常化冷却速率、渗氮温度和渗氮量对再结晶组织、织构和磁性能的影响规律.结果表明, 常化冷却速率越快, 一次再结晶晶粒尺寸越小.常化冷却速率较慢时, 高温渗氮的样品一次再结晶晶粒尺寸偏大, 使二次再结晶驱动力降低, 二次再结晶温度提高, 且渗氮量低, 追加抑制剂不足, 最终二次再结晶不完善.高温渗氮与低温渗氮导致脱碳板中抑制剂尺寸不同, 高温渗氮表层抑制剂与次表层抑制剂尺寸基本无差异, 低温渗氮表层抑制剂尺寸比次表层抑制剂尺寸大.低温渗氮且渗氮量低的样品虽然二次再结晶较完善, 但由于其常化温度低、常化冷却速率快, 一次再结晶晶粒尺寸小, 二次再结晶开始温度稍早, 黄铜取向晶粒出现, 最终磁性差.渗氮量较高的高温渗氮和低温渗氮样品虽都能基本完成二次再结晶, 但磁性存在差异, 磁性差的原因是高温渗氮样品的最终退火板中出现较多的偏{210} < 001>取向晶粒

对于任何一个逻辑函数的功能描述都可以作出真值表，根据真值表可以写出该函数的最小项之和及最大项之积的形式

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

第四章注射模设讣及制造 4.4推出机构的设计及制造

7.1挤出机头概述 一、挤出成型模具的分类及作用 机头挤出塑料制件成型的主要部件产生

C 语言是一种结构化语言。所谓结构化 语言就是不允许交叉程序的存在。结构 化语言的基本元素是模块，在C语言中 也称为函数。它是程序的一部分，只有 一个出口和一个入口，不允许中途插入， 也不允许以模块的其它路径退出。结构 化编程语言在没有恢复堆栈和其它相关 的寄存器之前，不应随便跳入或跳出一 个模块