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在150kW的等离子体装置中,制取出脱硅锆(88.60%~96.90%ZrO2)和稳定型氧化锆(ZrO2 ≥ 91.54%,MgO ≤ 5.39%)。研究了温度、时间和配碳量等因素对去除锆英石中SiO2的影响规律。用脱硅锆代替化学提纯法生产的纯氧化锆,试制了连铸中间包用的定径水口(75%ZrO2)产品,经使用,已能满足工业生产的要求
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采用直流磁控溅射法在镁合金上沉积铝膜,在高真空下对铝膜进行加热后处理.用X射线衍射仪(XRD)分析膜层为纯铝多晶态,扫描电子显微镜(SEM)观察铝膜晶粒细小.采用纳米压痕/划痕仪对铝膜的厚度、临界附着力、硬度和弹性模量进行了测试,并且用辉光放电光谱仪(GDS)测试了镁合金表面铝膜的成分和性能随薄膜深度的分布.结果表明,铝膜的厚度随后处理温度的升高而降低,其表面硬度和弹性模量高于镁合金基体并且随深度增加而逐渐降低.铝膜与镁合金基体间存在一个过渡层,结合良好且表现出一定的弹塑性能,有利于镁合金表面的防护
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一、本课的基本要求: 1.重点掌握有限差分法的基本概念、基本原理。 2.掌握稳定导热的差分解法即会建立差分方程,了解差分方程的求解法
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可降阶的高阶微分方程 前面介绍了五种标准类型的一阶方程及其 求解方法,但是能用初等解法求解的方程为数腥 当有限,特别是高阶方程,除去一些特殊情况可 用降阶法求解,一般都没有初等解法, 本节介绍几种特殊的高阶方程,它们的共 同特点是经过适当的变量代换可将其化成较低阶 的方程来求解
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可降阶的高阶微分方程 前面介绍了五种标准类型的一阶方程及其 求解方法,但是能用初等解法求解的方程为数腥 当有限,特别是高阶方程,除去一些特殊情况可 用降阶法求解,一般都没有初等解法, 本节介绍几种特殊的高阶方程,它们的共 同特点是经过适当的变量代换可将其化成较低阶 的方程来求解
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1.熟悉难溶电解质溶液的沉淀溶解平衡、掌握溶度积原理与溶解度的关系。 2.掌握溶度积规则,能用溶度积规则判断沉淀的生成和沉淀的溶解、了解两种沉淀间的转化、分级沉淀。 3.熟悉pH值对难溶金属氢氧化物和金属硫化物沉淀溶解平衡的影响及有关计算
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针对印度尼西亚某低品位锰矿,提出盐酸法富集与酸介质高值再生的工艺。借助X射线衍射分析,光学显微镜和电子显微镜等表征方法进行工艺矿物学分析。结果表明:该锰矿矿物组成简单,主要由方解石、软锰矿和少量菱锰矿、褐铁矿、高岭石等组成。筛析结果显示该锰矿粒度越小,锰含量相对越高。粗碎后以2 mm筛孔的筛子过筛可得到锰质量分数为33.32%的锰中矿。锰中矿盐酸直接浸出的最佳条件为:浸出pH 3.0、浸出时间1.5 h、搅拌转速200 r·min?1、液固比4∶1 mL·g?1,此条件下产出的锰精矿品位为54.50%,钙质量分数为0.57%。常温下盐酸再生可产出二水硫酸钙晶须,其长径比可达50以上。再生盐酸返回浸出锰中矿,产出的锰精矿品位为52.16%,钙质量分数为1.39%,验证了该工艺流程的可行性。X射线衍射分析、扫描电镜及能谱分析结果显示产出的锰精矿主要组成成分为软锰矿,杂质为少量褐铁矿、高岭石等。酸介质循环时杂质将逐渐积累,当镁离子质量浓度积累到96.74 g·L?1时,采用水解沉淀法进行除杂
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§3.1 化学反应速率的概念 §3.2 浓度对反应速率的影响——速率方程 §3.3 温度对反应速率的影响——Arrhenius方程 3.2.1 化学反应速率方程 3.2.2 由实验确定反应速率方程的简单方法——初始速率法 3.2.3 浓度与时间的定量关系 §3.4 反应速率理论和反应机理简介 3.4.1 碰撞理论 3.4.2 活化络合物理论 3.4.3 活化能与反应速率 3.4.4 反应机理与元反应 §3.5 催化剂与催化作用 3.5.1 催化剂和催化作用的基本特征 3.5.2 均相催化与多相催化 3.5.3 酶催化
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废铂催化剂主要是石化重整中因积炭、金属 烧结、污染物沉积催化物质流失等,已不能循环水净化剂 的(5%) Fe Cl3+Ala3 使用而替换下来的铂催化剂。随着经济发展,石化工业日趋扩大,废铂催化剂报废量日益增大
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采用金相显微镜、X射线衍射、扫描电镜和结合能谱仪研究了Sn对镁阳极材料显微组织、相结构、表面形貌及成分分布的影响;并通过恒电流法、动电位极化法和排水集气法等研究了该镁合金的腐蚀行为和电化学性能.结果表明:合金元素Sn的加入可以抑制棒状β-Mg17Al12相沿晶界析出,随着Sn含量的增大,颗粒相Mg2Sn增多;均匀化处理使大部分β-Mg17Al12相溶解,而残留Mg2Sn未溶相.Sn的加入可以提高镁合金自腐蚀电位和析氢率,当Sn质量分数为1%时镁合金阳极的放电电压和电流效率最大.析氢率随电流密度的增大而增大,当电流密度为20mA·cm-2时电流效率最高,可达82.28%.腐蚀产物主要成分为MgO和Al2O3,且疏松,易脱落,使镁合金阳极的工作电位负而且稳定,可促进电池反应深入进行
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