在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

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1.通过实验加深对动画原理的理解。 2.熟悉 Flash MX 的基本使用方法。 3.具备制作简单动画的初步能力

在传统的Web网站中，网页的布局往往由网页制作人员安排并很少变化。为了更好的为网络用户提供服务，提出通过对Web日志的数据清洗，识别出每个用户在一个会话期内访问的页面，依据网页内容在逻辑上的关系和用户经常访问的页面，得到用户对网页内容的兴趣度矩阵及各子项目的兴趣度矩阵。对网络用户根据兴趣度矩阵进行层次化的分类，得到每个用户所属的类别。当用户访问网站时，根据该用户所属的类别进行网页布局的自动调整，让用户能够方便、快捷地访问到自己感兴趣的页面。这样能够给每个用户提供更加个性化、柔软的服务，增加了网站的服务效果和用户对于网站的信赖，避免用户迷失在海量数据中

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