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用磁控溅射镀膜方法,制成了巨磁电阻自族间多层膜Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta.它具有优良的特性.其室温磁电阻比率MR>2%,自由层矫顽力Hc1<160A/m,自由层零磁场漂Hf<800A/m和钉扎层交换场Hex≈20×103 A/m.作为新型磁功能材料,它满足高灵敏磁性传感器和硬盘读出头的要求.对多层膜制备的方法也作了系统研究,并讨论了缓冲层和钉扎层的制备工艺和微结构对磁性能的影响
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将经过二次活化处理的活性炭材料制作的电极片组装成碳基电化学电容器.通过恒电流充放电实验,表明其具有良好的电化学充放电性能——活性物质的比容量为173.2F/g.恒功率充放电实验证明该电容器在大功率充放电条件下活性物质的能量密度大于5.0W·h/kg.电化学电容器与镍氢电池组成的复合电源系统具有优良的脉冲充放电特性,脉冲性能与镍氢电池相比有明显的提高,可以应用于GSM,CDMA移动通讯系统.初步探讨了高电压型电容器的制备工艺,并组装了具有10V工作电压的实用型电容器
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第一章绪论 第二章锅妒燃料及热力辅助计算 第三章煤粉制备 第四章燃烧过程的理论基础 第五章蝶粉炉与燃烧设备 第六章锅妒受热面及工作特点
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利用自行研制的超音速雾化技术制备了316L不锈钢粉末,采用激光粒度仪、扫描电镜、金相显微镜和X射线衍射仪进行了表征.结果表明,316L不锈钢粉末的平均粒度约为24μm,粒度分布的几何标准偏差δ为1.75;粉末内部存在三种典型凝固组织,即具有发达二次枝晶的枝晶组织、胞晶组织以及枝状晶与胞状晶的混合组织;大粒径气雾化316L不锈钢粉末为单一的γ奥氏体相,小粒径粉末由γ奥氏体相+少量δ铁素体相共同组成;熔滴的冷速随着粒径的减小而提高,平均冷却速率为104~107K·s-1
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通过共沉淀和原位煅烧转化方法, 将Pd掺杂δ-MnO2前驱体煅烧后制备得到Pd掺杂α-MnO2纳米棒催化材料.通过氮气物理吸附、X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、热重分析、X射线光电子能谱等技术对催化材料进行了表征.扫描电镜和透射电镜结果显示, α-MnO2纳米棒表面没有明显的Pd纳米颗粒, 表明Pd可能掺杂到α-MnO2晶格中.纯α-MnO2的还原温度在390℃左右, 但Pd掺杂可以极大地促进α-MnO2还原, 还原温度可低至约200℃左右.研究了所制备催化剂在无溶剂条件下对于以分子氧为氧化剂选择性催化氧化苯甲醇为苯甲醛的催化性能.结果表明: 在无溶剂及用纯氧气为氧化剂条件下, Pd掺杂α-MnO2纳米棒对苯甲醇氧化显示出增强的催化活性; 所掺杂的氧化态Pd物质可增强催化材料中的氧迁移率; 在这些Pd掺杂α-MnO2催化材料中, 当以Pd (3%, 质量分数) -MnO2为催化剂时, 在110℃反应4 h后, 苯甲醇的转化率为39%, 远高于同条件下以纯α-MnO2为催化剂时18. 3%的苯甲醇转化率
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一、胶体的种类、制备及性质 按分散介质(分散剂)的不同,常把胶体分为溶胶和气溶胶两大类。 溶胶的制备方法:研磨法、超声法、电弧法、胶溶法等。 溶胶的稳定性与破坏在一定条件下的相对的稳定体系
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研究了在催化剂R存在下用空气直接氧化氢氧化锰制备高视密度初级化学二氧化锰的方法.该方法是在硫酸锰溶液中加入氨水后获得的锰水解物滤饼在碱性介质中进一步处理,获得的氢氧化锰在一定温度和催化剂存在下用空气直接氧化,将二价锰氧化为四价锰.研究结果表明:氢氧化锰的氧化速度很慢,获得的初级产品中二氧化锰质量分数小于66%;催化剂R能加速氢氧化锰的氧化,且在催化剂R存在下温度、氢氧化锰颗粒大小等因素对其氧化速度有影响;在催化剂R存在和优化条件下,获得了视密度为1.7~1.8和二氧化锰质量分数大于83%的初级二氧化锰
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研究了熔融碳酸盐燃料电池(MCFC)阴极材料锂铁氧化物电极的导电性能.实验结果表明在合成锂铁氧化物的过程中,使Li2CO3轻微过量,可以提高锂铁氧化物电极的导电性.在同一温度下,随着Li:Fe值的增大,锂铁氧化物电极的导电性增加.相同Li:Fe条件下,锂铁氧化物电极的导电性随着温度升高按指数规律增加.扫描电镜研究(SEM)表明,Li:Fe比值不同,制备的锂铁氧化物电极表面形貌也不同
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分子量的多分散性是高聚物的基本特征之一。聚合物的性能与其分子量和分子 量分布密切相关。体积排除色谱(size exclusion chromatography,SEC)是液相色谱 的一个分支,已成为测定聚合物分子量分布和结构的最有效手段。其还可测定聚合 物的支化度,共聚物及共混物的组成。采用制备型的色谱仪,可将聚合物按分子量 的大小分级,制备窄分布试样,供进一步分析和测定其结构。该方法的优点是:快 捷、简便、重视性好、进样量少、自动化程度高
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对阳极氧化技术制备铝磁性膜进行了实验研究。用SEM,ESCA,RBS等表面分析手段对Al磁性膜的形貌、大小、厚度以及磁性膜中的元素分布作了分析,并测量了不同工艺条件下磁性膜的矩形比
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