将经过二次活化处理的活性炭材料制作的电极片组装成碳基电化学电容器.通过恒电流充放电实验,表明其具有良好的电化学充放电性能——活性物质的比容量为173.2F/g.恒功率充放电实验证明该电容器在大功率充放电条件下活性物质的能量密度大于5.0W·h/kg.电化学电容器与镍氢电池组成的复合电源系统具有优良的脉冲充放电特性,脉冲性能与镍氢电池相比有明显的提高,可以应用于GSM,CDMA移动通讯系统.初步探讨了高电压型电容器的制备工艺,并组装了具有10V工作电压的实用型电容器

异步电动机变压调速电路 异步电动机改变电压时的机械特性 闭环控制的变压调速系统及其静特性 闭环变压调速系统的近似动态结构图 转差功率损耗分析 变压控制在软起动器和轻载降压节能运行中的应用

采用数值分析方法,分析工作温度、扁排与环境的换热量、载流量等工作条件对铜包铝扁排导电性能的影响.结果表明:当扁排工作温度升高时,交流功率损耗增加的比值小于直流电阻增大的比例;当包覆层断面结构相同时,扁排可承载的平均电流密度随断面面积的增大而减小;采用单位长度直流电阻相同的铜包铝导电扁排替代铜扁排,在节省铜资源和原材料成本的同时,铜包铝扁排可承载的最大载流量增加,功率损耗和工作温度降低

推导并分析了磁与电复合的线材(柱、管、片状)样品的磁热功率P的表达式。涡流功率可分解为与磁、电特性和样品尺寸相关,以及与磁、电复合结构(因子)和样品形状(因子)相关的两大部分,分析表明导体层厚度越薄,导体对样品磁热的贡献越大。的最大值为0.5

全书共分八章：第一章是从应用的角度介绍电力半导体器件的特性；第二、三章是讲述利用相控原理的可控整流与有源逆变和交一交变频器；第四章是讲述研究DC一DC变换的斩波器的工作原理；第五章主要是研究采用PWM技术的无源逆变器；第六章是功率因数校正；第七章是软开关技术及其应用；第八章是开关电源。本书的第六~八章是电力电子学最新的内容，其中，电感电流连续的功率因数校正的原理电路分析，直流环节谐振的软开关逆变器的补偿损耗电流的计算公式，电压电流工作波形的计算；推导出的反激式、正激式、半桥式和桥式变换的开关电源的输入输出和导通时间的统一公式，这些都是由我们首先完成但还没有正式发表过论文的科研工作的成果。本书可作为授课80学时左右的本科电工类学生的专业用书，也可供相关专业的技术人员作为参考！

第 1 章 电路的基本概念与基本定律 基本概念： 1、 电路的组成和作用 2、 电压和电流的参考方向 3、 电源（电路）的有载、开路与短路 4、 功率、功率平衡 5、 额定值与实际值

研究了判断时间序列是否具有分形特征的几个参数:庞加莱映射、李雅普诺夫指数、关联维数、功率谱及赫斯特指数,分析了它们各自的优缺点,认为:在已知动力学系统时,使用庞加莱映射和李雅普诺夫指数就能准确地判断该时间序列是否分形;在不知道动力学系统时,使用功率谱及赫斯特指数更好些,最后给出了分形在时间序列分析中适用的场合

六十年代以来，在微波工程和微波技术上，出现 了 一 次 不 小 的 革 命 ， 即 所 谓 MIC(Microwave Integrated Circuit)微波集成电路。其特色是体积小、 功能多、频带宽，但承受功率小。因此被广泛用于接 收机和小功率元件中，并都传输TEM波。 作为这一革命的“过渡人物”是带状线(Stripline) 。它可以看作是同轴线的变形

利用反应磁控溅射方法在(100)单晶硅和高速钢(W18Cr4V)基片上制备出不同B含量的Ti-B-N纳米复合薄膜.使用X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)研究了Ti-B-N纳米复合薄膜的组织结构,并用纳米压痕仪测试了它们的纳米硬度和弹性模量.结果表明:通过改变TiB2靶功率和Ti靶功率的方法可制备出非晶-纳米晶复合结构的Ti-B-N薄膜;Ti-B-N薄膜中主要含有TiN纳米晶,随着B含量的增加,形成的TiN纳米晶尺寸变小,非晶成分增加;当B含量很高时会出现很小的TiB2纳米晶,此时薄膜性能不好;当TiN晶粒尺寸为5 nm左右时,Ti-B-N薄膜力学性能最优,纳米硬度和弹性模量分别达到32.7 GPa和350.3 GPa

采用逐步熔融凝固法制备了WC-65Mn复合材料,用扫描电子显微镜观察试样的微观形貌和组织结构,并用IMAGETOOL软件分析不同试样的扫描图像,定量测定增强相WC颗粒的分布状况,同时测量材料的抗弯强度和硬度.研究证明电源功率和模具下降速率对增强相WC颗粒的分布状况和力学性能有重要的影响.电源功率应在5.5~7.5kW之间,模具下降速度为8~10mm/min