进行了配碳量、温度、时间和颗粒大小及试样形式对碳还原锆英石中SiO2的实验研究,得到相应脱硅率的影响规律。理论上,脱硅率的极大值可达到97.22%。碳还原锆英石的表现反应活化能,在1600~2000℃温度范围内为282.04kJ/mol。锆英石被碳还原的限制环节是锆英石的热分解,而不是它裂解成SiO2之后再与碳的反应

采用动电位极化曲线和电化学阻抗谱研究了904L不锈钢基体和焊接区在浓硫酸溶液中的腐蚀行为，并简要分析其腐蚀机理.实验结果表明：焊接区和基材的阴极极化曲线均为氢还原反应过程，而阳极极化曲线则有较大的差异.焊接区相对于基材，其自腐蚀电位降低且阳极电流增大，焊接对阳极反应起促进作用.904L不锈钢基体和焊接区的腐蚀主要由电化学反应步骤控制，两者的Nyquist图特征相似，均由单一的容抗弧构成，有一个时间常数.基体的耐蚀性能优于焊接区

研究了硫酸钠对红土镍矿中铁矿物还原的抑制机理.结果发现硫酸钠能够改变铁矿物的还原历程,生成FeS和含铁的铝硅酸盐,使焙烧矿液相增加.液相的增加抑制煤的气化反应,减弱体系的还原气氛,同时抑制还原气体的扩散,对铁矿物的还原不利.FeS和铝硅酸盐形成的液相包裹在FeO周围使其还原受到抑制,铝硅酸盐在包裹FeO的同时与其反应生成更多液相,对FeO的还原起到进一步的抑制作用

高炉内铁水渗碳过程是影响冶炼效率及未饱和铁水对炉缸炉衬侵蚀的重要因素.本文通过高温真空润湿性测试装置模拟了高炉炉缸区的铁水渗碳反应，分析了不同碳质量分数（3.8%、4.3%、4.8%）的Fe−C熔体与质量分数为99.9%的石墨基体在高温下界面间的润湿反应，同时利用扫描电镜（SEM）和能谱仪（EDS）研究了渗碳界面的微观形貌及渗碳距离

采用硫酸浸出-硫化沉铜-两段中和除铬-碳酸镍富集工艺,从电镀污泥中综合回收铜、铬和镍.考察了各工序过程中的影响因素,获得了最佳工艺条件:酸浸过程中反应时间为0.5 h,反应温度为50℃,硫酸加入量为理论量的0.8倍;沉铜过程中,沉铜剂加入量为理论量的1.2倍,反应时间和反应温度分别为1 h和85℃;采用两段除铬工序有效降低了沉淀过程中的镍损失.整个工艺中,铜、铬和镍的回收率分别达到98%、99%和94%以上

制备出单质碘掺杂聚苯胺催化剂I2/PAn,并以I2/PAn为催化剂对以乙酰乙酸乙酯、环己酮、丁酮、苯甲醛和正丁醛与二元醇(乙二醇,1,2-丙二醇)为原料合成10种缩醛(酮)的反应条件进行了研究,重点考察了影响苯甲醛1,2-丙二醇缩醛合成的各种因素．在确定的n(醛/酮)：n(乙二醇/1,2-丙二醇)=1∶1．6(物质的量的比),催化剂的用量占反应物料总质量的0．2%,反应时间为1h条件下,10种缩醛(酮)的收率在47．3%～94．2%之间．

针对碳酸盐脉石对氧化铜矿酸浸动力学的影响进行探讨,研究了温度、酸度、矿石粒径、液固质量比、振荡速度等因素对含碳酸盐脉石氧化铜矿浸出的影响.结果表明,高温、高酸度、高液固质量比、小粒径和高振荡速度利于矿石的浸出,但碳酸盐脉石使得酸耗增加.考虑浸出成本确定合理的浸出条件为温度303 K、酸度35 g·L-1、矿石粒径0.074~0.125 mm、液固质量比3∶1以及振荡速度180 r·min-1,浸出180 min后铜浸出率达53.6%.对浸出前后矿石表面形貌进行分析.结果显示碳酸盐脉石与酸反应后在矿石表面形成CaSO4·2H2O沉淀,覆盖在颗粒表面,限制了矿石颗粒孔裂隙的发育.基于收缩未反应核模型对浸出动力学进行分析,发现碳酸盐脉石反应生成的沉淀阻碍了浸出反应,固体产物层扩散为浸出反应的控制步骤,反应的表观活化能为8.65 kJ·mol-1

报导了纯锰橄榄石的合成及鉴定。这种合成的纯锰榄橄石在室温时可以被盐酸,硫酸完全分解。由量热法测得此锰橄榄石和稀盐酸反应时放出(169±3.5)kJ.mol-1的热。这个由实验测得的反应热与按文献数据算出的H2180值相近。由测得的反应热值算出的Mn2SiO4的品格能是-8045kJ.mol-1,SiO44-g的水合焓是-4439.3kJ.mol-1

由于对天然块矿的冶金性能认识不够全面和深入,影响了现代高炉使用块矿技术的发展.通过分析和实验,考察了世界主要产地的块矿的各种冶金性能.结果表明天然块矿除自身软熔特性较差外,其他冶金性能均能满足现代高炉冶炼的要求;在高炉高温区块矿会与烧结矿发生交互反应,能够明显改善块矿自身的软熔特性,且可利用这一交互反应性优化块矿搭配模式

4种成分的Ti-Al-Si颗粒T3,T4,T5和T6通过球磨获得非晶.这些非晶在退火时的结构变化分为3个阶段:(1)球磨非晶的部分晶化并产生Ti5Si3;(2)其余非晶的完全晶化并依赖于颗粒中Ti和Al的组成产生钛铝金属间化合物,(3)粉末中各相的晶粒长大.晶化反应依粉末成分产生Ti3Al,TiAl和Al3Ti.Ti5Si3是晶化反应的唯一硅化物.低于800℃退火可获得纳米晶