1.1 半导体器件基础 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件

近年来，随着深亚微米工艺的出现，硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道，片上系统（system on chip）今天已从概念成为现实。然而，在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事

集成电路的封装方法 双列直插式(DP: Dual In-line- Package) 表面安装封装(SMP: Surface Mounted Package) 球型阵列封装(BGA: Ball Grid Arrag) 芯片尺寸封装(CsP: Chip Scale Package) 晶圆级尺寸封装(LP: Wafer Level CSP) 薄型封装(PtP: Paper Thin Package) 多层薄型封装(Stack PTP) 裸芯片封装(co, Flip chip)

绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况

项目一计算机基础知识 任务1了解计算机 1、计算机的发展过程 第一台电子计算机:美国宾夕法尼亚大学,1946年2月,命名为“ENIAC” 第一代(46-57年):以电子管为逻辑元件。 第二代(58-64年):以晶体管为逻辑元件。 第三代(65-71年):以集成电路为主要功能器件。 第四代(72—至今):将CPU、存储器及各接口做在大规模集成电路芯片上

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI并提高信号的完整性,本文从IC内 部封装入手,分析EM的来源、IC封装在EM控制中的作用,进而提出11个有效控制EM 的设计规则,包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等,有助 于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片,以达到最佳EM抑制的性能 现有的系统级EM控制技术包括

一. 集成电路的摩尔定律——电荷行为 二. 神奇的磁性及其应用——自旋和电荷行为 三. 巨磁电阻效应——可爱活泼的自旋行为 四. 交换偏置效应——再次显示自旋的伟大 五. 锰氧化物庞磁电阻——自旋的又一非凡表现 六. 纳米尺度下自旋行为的调控——看我是多么配合 七. 目前存在的问题——未来世界属于你们

1.1现代计算机的分类 一、发展经历(四代):电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路。 根据对计算机的使用情况,五大类 1.服务器(Server) 2.工作站(Workstation) 3.台式机(Desktop PC) 4.便携机( Mobile PC) 5.手持机(Handheld PC)