应用扫描Kelvin探针原位研究盐雾和干湿周浸环境中缺陷涂层膜下的腐蚀行为.结果显示:在两种腐蚀环境中,缺陷涂层均分为缺陷、阴极剥离及完好涂层区域;Kelvin电位的分布相同,缺陷处最高,完整涂层处最低.Kelvin电位分布峰的直径随时间的延长而增大,表明剥离区域扩大.干湿周浸环境中,Kelvin电位的最大值Vmax随时间变化不明显,Vmin在逐渐下降后达到谷值,随后升高;盐雾环境中由于电解质溶液持续扩散和盐雾颗粒极强的腐蚀性,Kelvin电位随时间的变化规律为Vmin在起始阶段达到最小值,随后升高.由Vmax-Vmin的变化规律得出,干湿周浸环境下腐蚀倾向性在试验开始5h后达到最大,而在盐雾环境下,试验开始阶段腐蚀倾向性就达到最大,且要高于干湿周浸环境

第12章位运算 12.1概述 12.2位运算 12.3位运算举例 12.4位段

利用自制的微动腐蚀测试系统,研究1Cr13不锈钢在3.5%NaCl溶液中,不同的阴极保护电位下的微动腐蚀行为.结果表明:未加阴极保护时,微动使自然腐蚀电位快速负移到稳定值;微动腐蚀失重量随阴极保护电位的负移而逐渐减小,-670mV时失重量达到最小值,此后失重量随保护电位的负移而逐渐增加,电位负于-800mV时失重量大于未加阴极保护时的失重量

7—1 概述 7—2 变形体系的虚功原理 7—3 位移计算的一般公式 7—4 静定结构在荷载作用下的位移计算 7—5 图乘法 7—6 静定结构温度变化时的位移计算 7—7 静定结构支座移动时的位移计算 7—8 线弹性结构的互等定理

采用H-800透射电子显微镜及正电子湮没技术,观察了CSP工艺热轧低碳带钢轧制过程中位错形貌,并计算了终轧后轧件的位错密度。结果表明:随着轧制过程的进行,累积变形量的增加,位错密度逐渐提高。CSP工艺比传统工艺生产的同规格产品位错密度高约一个数量级

一、EDTA(性质、与金属离子配位特点) 二、影响EDTA配合物稳定性的因素 三、配位滴定曲线 四、金属指示剂 五、提高配位滴定选择性的方法 六、配位滴定法的应用

制备了Al2O3/Al-Cu和Al2O3/Al-Cu-Si原位复合材料,采用SEM观察显微组织,XRD分析物相,EDS分析相所含元素.初步结果表明,原位合金化和原位颗粒共同强化金属基体是可行的,合金元素Cu和Si出现在基体中,细小增强颗粒Al2O3呈弥散分布

采用真空感应熔炼法制备Cu-6%Ag和Cu-24%Ag,并进行退火和时效处理,观察了合金中析出相与基体的位向关系及界面结构,分析了析出相对合金强化和导电特性的影响.析出相与Cu基体之间具有(100)Cu//(100)Ag及〈110〉Cu//〈110〉Ag位向关系,存在半共格界面,在(111)面上平均每隔9个晶面间距出现一个刃型位错以协调点阵错配.析出相与Cu基体这种特定的位向关系及界面结构能有效地阻碍基体中位错的运动,在产生析出相强化作用的同时几乎不影响合金的电传导行为.随Cu-6%Ag时效时间的延长,析出相数量增多,合金硬度显著上升而电阻率持续下降.时效过程中析出相数量、形态及界面结构是导致合金力学和电学性能变化的主要原因

采用FLAC模拟了断层-围岩系统的形成过程及位移的分布规律．计算中采用了莫尔-库仑与拉破坏复合的破坏准则,峰后岩石本构关系为线性应变软化．两条断层带(或剪切带)汇交时系统形成,之后其承载能力下降．在断层带左侧,由于在系统承载能力降低的过程中,弹性应变的快速恢复,出现了快速回跳现象(系统失稳)．在断层带之外,位移分布是均匀的．在断层带位置,存在较大的位移梯度．系统承载能力越低,位移梯度越大．远离加载端的区域先回跳,然后回跳区域逐渐扩大,向加载端传播,直到整个系统都回跳．上述过程持续的时间步数较少,说明了系统失稳的突发性．系统整体回跳发生于应变软化阶段．

所谓位运算是指进行二进制位的运算.在系统软件中,常要 处理二进位的问题.例如,将一个存储单元中的各二进位左移 或右移一位,两个数按位相加等