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配位滴定:以配位反应为基础的滴定分析方法(complex-formation titration)。 用于配位滴定的反应要求: 1 满足滴定分析对反应的要求 2 形成配合物稳定,否则不易得到明显终点 3 一定条件下配位数固定
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对中高层弯剪型-弯曲型双重抗侧力结构体系的水平位移计算方法进行了研究.将弯曲型子结构视为仅发生弯曲变形的悬臂墙,将弯剪型子结构视为同时发生弯曲变形和剪切变形的Timoshenko悬臂墙,在此基础上建立了弯剪型-弯曲型双重抗侧力结构体系的位移微分方程,结合边界条件,推导了均布荷载等三种荷载下结构的弯曲变形、剪切变形和总水平位移的解析解.探讨了弯剪型-弯曲型双重结构与剪切形-弯曲形双重结构位移计算方法的关系.结果表明,剪切形-弯曲形双重结构可视为弯剪型-弯曲型双重结构在弯剪型子结构抗弯刚度取无穷大时的一种特殊表现形式
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针对非线性时变特性的液压位置伺服系统跟踪控制问题,基于自适应逆控制理论,提出X滤波液压位置自适应逆控制策略.对传统自适应滤波算法在X滤波结构下的不足,提出变换域变步长归一化最小方差算法.采用该算法对液压伺服位置系统进行了对象建模、在线逆建模及开环控制系统设计.仿真结果表明,X滤波液压位置自适应逆控制具有跟踪速度快、对参数摄动鲁棒性强等良好动态特性
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11.1 配位滴定法概述 11.2 影响金属EDTA配合物稳定性的因素 11.3 配位滴定的基本原理(单一金属离子的滴定) 11.4 金属离子指示剂 11.5 提高配位滴定选择性的方法 11.6 配位滴定的方式和应用
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对于给定的刚体四位置,在布尔梅斯特曲线上任取两组位置点可得到无穷多个机构解,要求设计者快速准确地从中选取位置点综合出满足各项设计要求的最优机构是比较困难的.本文提出将无穷多机构解用有限机构解域来表示,通过机构解域初步分析绘出机构属性图,据此设计者可了解每个机构的类型、最小传动角、杆长比以及有无缺陷等信息.其次施加约束条件构成可行机构解域,这样可避免位置点选取的盲目性.最后基于可行机构解域或感兴趣的区域绘制机构性能分析图确定机构最优解
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(一)定位误差及其计算方法 1、定位误差的概念及产生原因:*定位误差:指由于工件定位不准确,而造成工序尺寸或位置要求方面的加工误差
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应用扫描Kelvin探针原位研究盐雾和干湿周浸环境中缺陷涂层膜下的腐蚀行为.结果显示:在两种腐蚀环境中,缺陷涂层均分为缺陷、阴极剥离及完好涂层区域;Kelvin电位的分布相同,缺陷处最高,完整涂层处最低.Kelvin电位分布峰的直径随时间的延长而增大,表明剥离区域扩大.干湿周浸环境中,Kelvin电位的最大值Vmax随时间变化不明显,Vmin在逐渐下降后达到谷值,随后升高;盐雾环境中由于电解质溶液持续扩散和盐雾颗粒极强的腐蚀性,Kelvin电位随时间的变化规律为Vmin在起始阶段达到最小值,随后升高.由Vmax-Vmin的变化规律得出,干湿周浸环境下腐蚀倾向性在试验开始5h后达到最大,而在盐雾环境下,试验开始阶段腐蚀倾向性就达到最大,且要高于干湿周浸环境
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第12章位运算 12.1概述 12.2位运算 12.3位运算举例 12.4位段
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利用自制的微动腐蚀测试系统,研究1Cr13不锈钢在3.5%NaCl溶液中,不同的阴极保护电位下的微动腐蚀行为.结果表明:未加阴极保护时,微动使自然腐蚀电位快速负移到稳定值;微动腐蚀失重量随阴极保护电位的负移而逐渐减小,-670mV时失重量达到最小值,此后失重量随保护电位的负移而逐渐增加,电位负于-800mV时失重量大于未加阴极保护时的失重量
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7—1 概述 7—2 变形体系的虚功原理 7—3 位移计算的一般公式 7—4 静定结构在荷载作用下的位移计算 7—5 图乘法 7—6 静定结构温度变化时的位移计算 7—7 静定结构支座移动时的位移计算 7—8 线弹性结构的互等定理
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