§1. 原子的周期性列阵 §2. 点阵的基本类型 §3、晶面指数系统 §4.简单晶体结构

一,填空——记忆类 1何谓晶面 晶棱 顶 点是 2.Nacl晶体的外形有立方体,有八面休,这些外形不同但有共同的特点 3晶体的宏观特性是

一、成核 成核是一个相变过程,即在母液相中形成固相小晶 芽,这一相变过程中体系自由能的变化为: g=aG+△G 式中△G为新相形成时体自由能的变化,且△G0 也就是说,晶核的形成,一方面由于体系从液相转 变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降,另一 方面又由于增加了液-固界面而使体系自由能升高

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

本文分析了氯离子。镀层缺陷。应力和氢诸因素对晶体管外引线腐蚀断裂的影响,提出了电偶腐蚀、小孔腐蚀（或缝隙腐蚀）、应力腐蚀协同作用的机制,并用这种失效机制解释了现场所观察到的断腿问题

本文提出了从晶体管的物理模型直观地推导出其各种等效电路的方法。本法避免了冗长的数学推导,仅应用了电路的等效变换概念。所以它物理意义清晰,而且清楚地揭露出各种等效电路之间的关系,便于理解和掌握

动态氧化不仅有利于含钛高炉熔渣中钛组分富集于设计相(钙钛矿相),同时还会促进钙钛矿相析出与粗化,在自然重力作用下粗化的钙钛矿实现重力富集与沉降分离.本文运用玻璃形成动力学方程,对动态氧化条件下含钛熔渣中钙钛矿相形核速率和晶体生长速率进行分析和研究.结果表明,向熔渣鼓入氧气,低价钛逐渐氧化为四价钛,促进钙钛矿析出反应的进行,提高了钙钛矿晶体生长速率.继续通入氧气则氧化时间过长,熔渣中高熔点TiC和TiN固体颗粒基本消失,黏度降低,异相形核转化为均相形核,析出温度显著降低,析晶温度区间缩短,不利于钙钛矿晶粒粗化和长大

利用带耗散功能的石英晶体微天平研究十二烷基磺酸钠在Fe2O3石英晶体谐振器表面的吸附动力学及吸附层构象.结果表明：十二烷基磺酸钠在赤铁矿表面的吸附是一个快速达到吸附平衡的过程,pH值对十二烷基磺酸钠的吸附影响较为明显,pH值在3~9的范围内,随着pH值增加,药剂吸附层黏弹性逐渐增大,吸附层稳定性减弱,赤铁矿回收率逐渐下降,十二烷基磺酸钠的吸附过程只有一个吸附阶段,且吸附过程符合准一级动力学模型,吸附层不发生明显构象变化;当pH值为10和11时,十二烷基磺酸钠吸附量明显增加,赤铁矿回收率也开始回升,吸附过程存在多个吸附阶段,吸附的第一阶段符合准二级动力学模型,吸附的第二阶段符合Elovich方程,并且随着吸附的进行,吸附层发生明显构象变化

一、单形 1.单形的概念 是由对称要素联系起来的一组晶面的组合。也 就是说,单形是一个晶体上能够由该晶体的所有 对称要素操作而使它们相互重复的一组晶面。 在理想的情况下,同一单形内的晶面应该同形 等大。例如:立方体、八面体、菱形十二面体和 四角三八面体都是单形

晶体中电子在磁场中的运动时,采用有效质量近似后,电子做螺旋运动,其回转频率: