1引言 一、按版图设计自动化程度分: 手工设计 半自动设计 全自动设计 二、按版图结构及制造方法分 半定制(semi- -custom) 全定制(full- custom)

1 概率极限状态设计法和疲劳设计的容许应力法 2 钢结构材料 3 钢结构的连接设计 4 轴心受力构件设计 5 受弯构件设计 6 拉弯和压弯构件设计

4.3.2.1 筒体结构 4.3.2.2 内压圆筒的强度设计 4.3.2.3 设计技术参数的确定 4.3.4 密封装置设计

4.2.1 压力容器失效 4.2.2 强度失效设计准则 4.2.3 刚度失效设计准则 4.2.4 失稳失效设计准则 4.2.5 泄漏失效设计准则

第一部分：化工原理课程设计任务书 第二部分：设计方法 第三部分：化工塔器CAD设计软件介绍 第四部分：设计示例

第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

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