本文用STEM电镜观察了Fe-0.48C-0.80Mn-1.30Si-0.45Mo合金的贝氏体-奥氏体界面位错的形貌及晶体学特征。结果表明,贝氏体-奥氏体界面的位错组态很接近于Rigsbee和Aaronson所描述的魏氏铁素体的界面结构。本文还讨论了贝氏体、板条马氏体、魏氏铁素体的界面结构及界面迁移机制的异同

一、选择题 1.某晶体的晶轴长短和晶轴夹角有如下关系=b=c,a=B=y,则下列判断中正确的是………() (A)一定属于立方晶系 (B)一定属于三方晶系 (C)属于立方晶系或三方晶系 (D)属于正交晶系

5.1位移-相移定理 5.2有序结构一维光栅的衍射 5.3光栅光谱仪闪耀光栅 5.4二维周期结构的衍射 5.5三维周期结构X射线晶体衍射 5.6无规分布的衍射 5.7分形光学一一自相似结构的衍射 5.8光栅自成像 5.9超短光脉冲和锁模习题

采用Al2O3、Y2O3为助烧剂,液相烧结获得了致密的α-SiC和β-SiC陶瓷,并研究了SiC了烧结体的物相组成和微观结构.实验结果表明,Al2O3,Y2O3原位形成了YAG,材料以液相烧结机制致密化,α-SiC通过溶解和再析出机制,促进晶体生长,并形成\Core/Shell\结构.物相分析表明,β-SiC陶瓷粉末在烧结过程中发生了β→α的相变.微观结构观察显示,β-SiC陶瓷中生成了长柱状晶粒

利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和硫的K边X射线吸收近边结构光谱(XANES)等分析手段研究了中度嗜热菌(Sulfobacillus thermosulfidooxidans)浸出黄铁矿过程及矿物表面硫的化学形态.结果表明:中度嗜热菌明显促进了黄铁矿的溶出,24 d浸出液中总铁的质量浓度达到5.3 g·L-1.经24 d细菌处理后,矿物表面形貌变化明显,出现良好结晶状态的晶体.浸出过程中累积在黄铁矿表面的主要成分是黄钾铁矾.矿物表面硫的形态组分主要为黄铁矿和黄钾铁矾,其质量分数分别为34.8%和65.2%

用透射电镜(TEM)对大气中火焰法沉积(CFD)金刚石薄膜的组织结构进行了分析研究。结果表明,所沉积的金刚石晶体中{111}面上存在着大量层错及显微孪晶;在{111}面上晶粒边界处的位错密度较低。此外,在金刚石薄膜中还观察到存在于金刚石颗粒间的非金刚石型碳(C),即无定形碳及微晶石墨

使用透射式电子显微镜(TEM)观察了Al-12Mn和Al-10Mn-2Fe合金中准晶相的显微形态,选区电子衍射(SAD)做结构分析,用TEM的能谱附件(EDXS)分析准晶相的化学成分。结果表明,典型的准晶相具有菊花状形态,其当量组成非常接近Al4Mn,准晶相的形态表明它的形成长大机制可能介于非晶和晶体之间;而且,铁的加入促进了合金中准晶相的形成

一、蛋白质构象(高级结构)的研究方法 到目前为止,研究蛋白质高级结构的方法仍然是 以射线衍射法(X--ray diffraction method)为主,X射 线衍射法的原理是:当X射线(=500nm)投射到蛋白 质晶体样品时,蛋白质分子内部结构受到激动,入 射线反射波互相叠加产生衍射波,衍射波含有被测 蛋白质构造的全部信息,通过摄影即可得一张衍射 图案(diffraction pattern),再用电脑进行重组,即可 绘出一张电子密度图(electro density map)。从电子密 度图可以得到样品的三维分子图象,即分子结构的 模型

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

对SnAgCu合金粉末的真空蒸镀涂层硬脂酸的成膜机理进行了研究.采用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对涂覆后合金粉末的形貌及结构进行观测,采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)对涂覆后粉末的透射吸收谱和光电子能量进行测试.结果表明:硬脂酸在合金粉末表面形成一层均匀致密、厚度为5~10 nm的薄膜,硬脂酸涂层SnAgCu合金粉末的行为属于物理吸附行为,其生长方式遵循岛状生长机理模式,其过程实质是一个气-固转换、晶体生长的过程