1892年9月10日出生于美国俄亥俄州 伍斯特． 康普顿对X射线散射现象做过深入的 研究．1920年，A.H.康普顿和他的兄长 K.T.康普顿对当时最灵敏的电测仪器—象 限静电计作了重大改进，正是由于采用了 这一仪器，他从比别人精确的结果中发现了康普顿效应．

科学女杰玛丽·居里 居里夫人生于波兰.1891年她到法 国进了巴黎大学,在此期间,她认识了法 国科学家皮埃尔·居里,1894年结婚,从 此夫妻共同致力于科学研究. 1895年,德国物理学家伦琴发现了X射 线.1896年法国科学家贝克勒尔发现了含 铀物质的自发放射现象.居里夫妇决心探

一、光电效应实验的规律 1实验装置及现象 2实验规律 (1)光电流强度与

康普顿效应是说明光的粒子性的另 一个重要的实验。 1922-1933年间康普顿（A.H.Compton ）观察X射线通过物质散射时， 发现散射的波长发生变化的 现象

安培提出分子电流假说：宏观物质内部存在着 分子电流，每个分子电流均有磁效应，物质的磁性 就是这些分子电流对外表现出的磁效应的总和。 磁性物质产生磁现象的解释：

具体说来,理论已经解释了这一事实,即就一阶效应而言,介 质和观察者相对于以太的共同速度对现象没有影响3) 但是当涉及二阶效应时,迈克尔逊干涉仪实验4)的否定 结果给理论造成了很大的困难.为了消除这些困难,洛伦兹 和 Fitz-Gerald5各自提出了假设:当物体以平移速度v移动 时,会改变它们的线度.这种沿运动方向的线度改变是由因 子x√1-(02/02)决定的,其中x为相应的作横向线度改变

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

一、压电效应 1、正压电效应： 沿某些电介质的一定方向施加力而使之变形时，内部产生极化现象，两个表面产生符号相反的电荷，去掉外力后复原

前面所分析的逻辑电路，基于输入/输出都是在稳定的逻辑电平下进 行的，没有考虑动态变化状态。实际上，输入信号有变化，或者某个变 量通过两条以上路经到达输出端。由于路经不同，到达的时间就有先有 后，这一现象叫做竞争

为了克服RSFF的不定状态,引入D､JK､T和 T’四种形式的钟控四门触发器。但四门FF由于 存在着严重的空翻问题，而不能在实际中应用。 为了既解决同步问题又能防止空翻现象， 于是引出主从FF和边沿FF