一、半导体存储器概念： 随着微电子技术的提高,大规模集成电路(LSI)发展很快,近年来集成电路几乎以每年提高一倍的速度向前发展。存储器是电子计算机及数字系统中不可缺少的部分，用来存放二进制代码表示的数据､系统指令､资料及运算程序等。 二、存储器的主要指标 存储容量 和 工作速度

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

7.1半导体存储器的分类 7.2存储器的组成 7.3存储器的主要技术指标 7.4只读存储器(ROM) 7.5随机存储器(RAM) 7.6存储器的扩展

§4.1 金属半导体结 §4.2 肖特基势垒二极管SBD §4.3 欧姆接触 §4.4 结型场效应晶体管JFET §4.5 肖特基栅场效应晶体管MESFET §4.6 异质结MESFET

3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数

第1章半导体二极管 1.3二极管电路的分析方法 1.3.1理想二极管及二极管特性的折线近似 1.3.2图解法和微变等效电路法

3.1半导体三极管 3.2共射极放大电路 3.3图解分析法 3.4小信号模型分析法 3.5放大电路的工作点稳定情况 3.6共集电极电路和共基极电路 3.7放大电路的频率响应

场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路