采用化学沉淀的高纯氧化铁有效地制备出了MnZn铁氧体——ZnxMn1-xFe2O4(x=0.2~0.4),利用XRD、SEM等手段分析和表征了MnZn铁氧体样品的结构.研究结果表明,纳米晶MnZn铁氧体的制备过程分两个阶段,即先生成Zn-Mn2O4,最后在烧结过程中生成Zn0.2Mn0.8Fe2O4锰锌铁氧体.探讨了在此工艺条件下MnZn铁氧体晶体的生长机理

用 Mathematica V44.0系统的指令,对应的计算过程可表述为: MATHEMATICA V4.0

一、选择题(共5题25分) 1.5分(1402)1402 在N个NO分子组成的晶体中,每个分子都有两种可能的排列方式,即NO和ON,也可将晶体视为NO和ON的混合物,在0K时该体系的熵值:() (A)S=0 (B)So= (C)=Nkin2 (D)So=2kInN

随机游走也是一种基于运用[0,1]区间的均匀分布随机数序 列来进行的计算。 醉汉行走问题 醉汉开始从一根电线杆的位量出发(其坐标为x=0,x坐标 向右为正,向左为负),假定醉汉的步长为1,他走的每一步的 取向是随机的,与前一步的方向无关如果醉汉在每个时间间 隔内向右行走的一步的几率为p,则向左走一步的几率为q=-po 我们记录醉汉向右走了n步,向左走了n步,即总共走了N=ng+n1 步

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

以精炼钢包为研究对象,在不同的透气砖位置的条件下,采用多相流模型计算了吹氩后钢包内钢液的流场,通过对流场数值的多元回归,计算了透气砖在钢包底部的最佳位置.结果表明:随着透气砖在钢包底部位置的变化,吹氩对钢液的搅拌效果也有很大的影响,当透气砖位置在钢包底部距中心位置为0.44R0~0.48R0之间时,底吹氩对钢液搅拌得更均匀

采用简单工艺,制备出以8%Y2O3(摩尔分数)稳定的ZrO2为固体电解质,La0.8Sr0.2CoO3混合导体材料为扩散障碍层的极限电流型氧传感器.该传感器能够很好地给出全范围空燃比的极限电流平台,与小孔或多孔极限电流型传感器相比,具有结构简单、响应快、工作可靠、成本低廉等优点

大多数的伪随机数变量并不满足[0,1]区间的均匀分布, 而是具有各种不同形式的分布密度函数。 对一个具有分布密度函数f(x)的伪随机变量的抽样是通 过以下步骤来进行的:首先在[0,1]区间抽取均匀分布的伪随 机数列,然后再从这个伪随机数列中抽取一个简单子样,使这 个简单子样的分布满足分布密度函数f(x),并且各个伪随机数 相互独立

以等离子弧为热源,采用类似激光表面改性的办法,研究了重熔处理对Ni基自熔合金组织和耐磨性的影响。经等离子弧扫描重熔,喷焊层表面形成重熔激冷层,该层基体组织由γ-Ni转变为化合物Cr0.7Fe0.36Ni2.90,并形成晶粒度很小的微晶组织。重熔后试样的耐磨粒磨损与粘着磨损性能提高,且880W重熔较440W重熔试样的耐磨粒磨损性能提高程度更大

本章将介绍一些必要的准备知识。第一节为 Hilbert空间中基的概念,第二节为线性算子的定义,第三节为有关积分的性质,第四节将介绍框架与 Riesz基。 1. BanachHibert空间与空间设X为数域K上的线性空间,若函数:X→R+满足如下三个条件: 1.三角不等式:w(x+y)≤w(x)+w(y),x,y∈, 2.齐次性:w(ax)=lalw(x),a∈k,x∈X, 3.正定性:w(x)=0分x=0