第一章：引言 第二章：概率论与数理统计基础知识 第三章：测量不确定度基础 第四章：测量不确定度的评定 第五章：测量不确定度应用实例

1、利用一切机会学习经常学习新的知识,每天学习改善推销的方法 ,是一个推销员提高推销技巧的根本保证。 不管推销对象是谁或什么场所,你都必须满怀信心地面对每一个顾客,发挥你的潜力。你所 遇到的顾客的种种不满情况,都是你学习的材料。他们将使你成为更精明、更杰出的推销员 因此,你必须虚心而努力地学习。“闭关自 守”的推销员是不会成功的。所以,你首先应 该向顾客学习,从他们的不满和疑问中,从他 们的交易习惯和方式中,从他们的言谈举止中 ,学习你认为有用的东西

为了提高实际生产中中间包等离子加热热效率，改善中间包内钢液流动状态，本文根据某钢厂中间包原型，通过物理模拟对比研究了有无等离子加热和不同等离子加热位置下中间包内温度场和流场的变化情况。研究结果表明，在无等离子加热条件下，中间包内死区比例较高，达到了36%，死区主要集中在中间包挡墙外侧上部区域；当加热位置位于挡墙外侧时，中间包内死区比例与不加热时相差不大，靠近加热位置处的温度急剧上升，挡墙内外两侧的温度差较大，中间包内整体温度分布不均匀；加热位置位于挡墙内侧时，中间包死区比例明显降低，达到29.2%，平均停留时间约增加57 s，出水口温度明显上升（约7 ℃），中间包内温度分布更均匀

城市是有一定人口规模,并以非农业人口为主的居民集居地,是聚落( Settlement)的 种特殊形态 城市是一种复杂的动态现象,它的兴起和发展受自然、经济、社会和人口等方面因素的影 响。不同历史时期,不同的地区,不同的社会经济发展水平和发展速度,不同的人口分布和迁 移特点,都对城市的发展速度、性质、规模、空间组织等产生影响

搭建了双电弧集成冷丝复合焊接系统，研究了冷丝不同位置对焊接过程的影响机理，其中包括冷丝作用位置对其加热熔化作用及表面成形的影响。实验结果表明：冷丝从两引导焊丝正前方送入时，熔池前端对冷丝的加热熔化作用不充分，冷丝末端会顶触熔池底部，随着冷丝的持续送进和母材的向后移动，某一时刻冷丝回弹，焊丝末端的熔滴弹出落在母材表面形成大颗粒飞溅。当冷丝从侧面送入时，熔池一侧的温度较低，影响熔池金属的流动，导致最终的焊缝成形不对称分布。当冷丝从两引导焊丝正后方送入熔池时，冷丝始终插入熔池中，焊接过程稳定，是理想的冷丝作用位置。此外，随着冷丝送丝速度的增加，两种脉冲电流模式（同相和反相）下，熔敷率均随之增加，且相差不大。同相脉冲电流下电弧对冷丝的加热熔化作用最强烈，反相脉冲电流下次之，直流模式下最弱

为研究纳米隔热材料孔隙结构内部的气体热传输特性, 采用溶胶-凝胶工艺结合超临界干燥技术, 制备了一系列具有不同孔隙结构特征的样品, 通过热导率、氮气吸-脱附和真密度测试, 全面、准确获取了其孔隙结构信息, 并专门、系统研究了孔隙结构特征与气体热传输特性之间的关系.研究结果表明: 与气相贡献热导率相对应, 材料具有双尺度孔隙结构特征, 并且当大孔隙尺度不及小孔隙的10倍时, 可进一步等效为单尺度孔隙.考虑气固耦合传热的本征气相贡献热导率随孔隙尺度的增大而升高, 与气相热导率变化类似且成一定的比例关系, 孔隙尺度小于200 nm和大于500 nm时的比例系数分别为2.0和1.5, 200~500 nm时则为2.0~1.5.当大、小孔隙尺度的比值不超过10时, 或者这一比值为100~1000且大孔隙含量低于10%时, 气相贡献热导率随环境气压的降低依次呈现快速下降、缓慢下降和无变化三个阶段; 当这一比值超过3000时, 即使大孔隙含量很低(不超过10%), 气相贡献热导率也会依次呈现快速下降、缓慢下降、快速下降和无变化四个阶段

一、证券的种类 证券的种类很多,可以按不同的标准进行分类。 (一)按证券所体现的经济内容分类 按证券所体现的经济内容不同,可分为债券、股票和投资基金。 (二)按证券到期时间分类 按证券到期时间的不同分类,可为短期证券和长期证券。 (三)按证券的收益状况分类 按证券收益状况的不同,可分为固定收益证券和变动收益证券

§1 波动稳定度概念 §2 惯性不稳定 §3 正压不稳定 §4 斜压不稳定 §5 K—H 不稳定

在某种意义上说,有了库存才使得合理的生产系统成为可能。没有库存,我们不能 顺利进行生产流程,不能合理使用机器,不能使物料搬运费合理,也不能期望在提供被 称为“存货”的几百种产品方面合理地为顾客服务,在制造和分配的每一个阶段中,库 存起着极为重要的保险作用,它把以下的工序分开:从原材料开始,扩展到制造的各个 工序,进而到成品储存,再到仓库和零售商店。在这个顺序中的每一对活动之间,库存 能使必需的工序相互独立,不受牵连影响,使低成本的生产得以实现

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路