绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况

4.1 电火花加工方法 4.2 电火花加工准备工作 4.3 加工规准转换及加工实例 4.4 电火花加工中应注意的一些问题

一、化工过程开发的含义和步骤开发基础研究 初步筛选原料路线;了解过程特征;归纳工艺条 件;拟定分析方法。 二、、过程研究 工程研究概念设计

第一节概述 第二节工艺路线与设备布局 第三节包装生产线的生产率 第五节分合流及换向装置 第六节中间储存装置

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

采用扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射分析技术(EBSD)和透射电子显微镜(TEM)等实验手段,研究了不同淬火-回火热处理工艺制度对X80管件钢组织性能的影响.结果表明:一次930℃淬火后,随着回火温度的升高,实验钢屈服强度先升高后降低,在630℃达到最大值588MPa;抗拉强度随回火温度升高持续下降,680℃时降至630MPa.二次两相区淬火,经630℃回火后,X80管件钢有最佳的综合力学性能,-50℃冲击韧性显著提高,Ak达到210J.这是由于二次淬火温度在860℃两相区时,组织中奥氏体晶粒大幅细化,经630℃回火后,细晶马氏体组织中出现位错亚结构的回复软化、板条边界钝化和块状M-A组元分解产生的析出强化机制综合作用的结果

机械设计制造及其自动化专业 《电工技术基础》 《电子技术基础》 机械电子工程专业 工业工程专业 《电工电子技术》 车辆工程专业 新能源科学与工程专业 测控技术及仪器专业 《电工电子技术(1)》 《电工电子技术(2)》 光电信息科学与工程专业 自动化专业 《电路分析》 《模拟电子技术》 《数字电子技术》 《电子工艺实习 A》 《EDA 技术》 《综合电子设计》 自动化专业(卓越计划) 《电路原理》 电气工程及其自动化专业 《电子电路课程设计》 《电子工艺实习 B》 智能科学与技术专业 电子信息工程专业 《电工电子实习 B》 通信工程专业 通信工程专业(卓越计划) 物联网工程专业 《电路与电子技术》 计算机科学与技术专业 《计算机电路基础》 软件工程专业 网络工程专业 质量管理工程专业 信息与计算科学专业 《数字逻辑电路》 电子信息科学与技术专业 数理实验班

利用电子背散射衍射技术(EBSD)、扫描电镜(SEM)分析了低温取向硅钢常化工艺、渗氮工艺对常化组织、再结晶组织与抑制剂的影响, 对比研究了常化冷却速率、渗氮温度和渗氮量对再结晶组织、织构和磁性能的影响规律.结果表明, 常化冷却速率越快, 一次再结晶晶粒尺寸越小.常化冷却速率较慢时, 高温渗氮的样品一次再结晶晶粒尺寸偏大, 使二次再结晶驱动力降低, 二次再结晶温度提高, 且渗氮量低, 追加抑制剂不足, 最终二次再结晶不完善.高温渗氮与低温渗氮导致脱碳板中抑制剂尺寸不同, 高温渗氮表层抑制剂与次表层抑制剂尺寸基本无差异, 低温渗氮表层抑制剂尺寸比次表层抑制剂尺寸大.低温渗氮且渗氮量低的样品虽然二次再结晶较完善, 但由于其常化温度低、常化冷却速率快, 一次再结晶晶粒尺寸小, 二次再结晶开始温度稍早, 黄铜取向晶粒出现, 最终磁性差.渗氮量较高的高温渗氮和低温渗氮样品虽都能基本完成二次再结晶, 但磁性存在差异, 磁性差的原因是高温渗氮样品的最终退火板中出现较多的偏{210} < 001>取向晶粒

《大学物理》 《大学物理实验 I》课程实验 《高等数学（代数、变换）》 《电工学》 《大学物理实验 II》课程实验 《自动控制技术》 《模拟电子技术》 《数字电子技术》 《单片机原理与应用》 《电子测量》 《电动力学》 《EDA 技术》 《工程制图与 CAD》 《网络原理与技术》 《量子力学》 《热力学与统计物理》 《传感器应用与实验》 《高级程序设计》 《电子产品生产组织与管理》 《可编程控制器（PLC）应用》 《工业计算机与工控组态技术》 《光机电一体化》 《电子线路设计》 《高频电子线路》 《光电新材料导论》 《电力系统基础》 《电力电子学》 《通信技术基础》 《数字信号处理》 《应用电子技术综合实验》课程实验 《机电产品装配工艺与技能实训》 《电子电路故障诊断》 《光伏应用技术》 《电子产品制造工艺》 《智能仪器与仪表》

利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、电子探针(EPMA)、X射线衍射仪(XRD)、室温拉伸等手段, 通过两相区保温-淬火(IQ)、两相区形变后保温-淬火(DIQ)、两相区保温-淬火-配分-贝氏体区等温(IQ&PB)及两相区形变后保温-淬火-配分-贝氏体区等温(DIQ&PB)热处理工艺, 研究高温形变对室温组织、性能、残余奥氏体稳定性的综合影响作用.结果表明, 经15%的压缩形变后铁素体中位错密度由0.290×1014增加至1.286×1014 m-2, 马氏体(原奥氏体)中C、Cu元素富集浓度提高, 高温形变产生位错增殖对元素配分有明显促进作用.DIQ&PB工艺下, 形变后贝氏体板条尺寸变短且宽度增加0.1 μm左右, 贝氏体转变量较未变形时增加14%, 多边形铁素体尺寸明显减小.力学性能方面, 两相区形变热处理后抗拉强度增加132.85 MPa, 断后伸长率增加7%, 强塑积可达25435 MPa·%.形变后残余奥氏体体积分数由7.8%提高到8.99%, 残余奥氏体中碳质量分数由1.05%提高到1.31%