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计算机电路的基础是时序电路,利 用计算机实现计时和计数的工作任务, 对计算机是最容易的事。在检测和控制 中,大多数时候都要求进行定时和计数 处理,所以定时器/计数器在计算机中 是必不可少的
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第一章 单片机的基础知识 第二章 MCS-51指令系统 第三章 汇编语言程序设计 第四章 半导体存储器 第五章 输入输出与中断 第六章 并行接口与定时/计数器 第七章 串行接口 第八章 功能器件的应用 第九章 单片机的C51编程 第十章 单片机控制系统设计与调试
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以液态合金的多相结构模型为基础,对电脉冲作用下高硅铝合金熔体结构变化进行了热力学分析,并研究了电脉冲作用下Al-22%Si合金凝固组织的显微硬度以及凝固相变点的变化.实验结果表明,电脉冲促进了呈\胶体\状态存在的Si粒子在Al-22%Si合金熔体中的分解,提高了熔体的均匀程度,部分消除了来自Si原料的遗传性;电脉冲孕育处理提高了Al-22%Si合金熔体的过冷能力,增加了Si粒子在基体组织中的过饱和度,提高了基体的显微硬度;Al-22%Si合金基体显微硬度值的变化显示熔体对于电脉冲频率的响应比较敏感
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在连续铸钢中采用电磁搅拌技术,可以有效的改善铸坯质量。[1] [2] [3] [4] [5]本文报导了电磁搅拌(EMS)对炭素钢连铸坯质量的影响,并提出了几点初步看法:
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一、填空题(每空1分,共12分) 1、晶闸管的工作状态有正向 状态,正向 状态和反向 状态。 2、某半导体器件的型号为KP507的其中KP表示该器件的名称 为,50表示,7表示
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用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对6种微波等离子体CVD金刚石薄膜的表面形态和显微结构进行了研究.结果表明:在金刚石晶粒长大过程中,(111)面方向长大时产生密度很高的微孪晶缺陷,而(100)面方向长大时产生的晶体缺陷较少
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第一节 波沿均匀无损单导线的传播 第二节 行波的折射和反射 第三节 行波的多次折、反射 第四节 波在多导线系统中的传播 第五节 波在有损耗线路上的传播
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采用微弧氧化(MAO)技术在7050铝合金表面制备了陶瓷膜层,运用扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)表征陶瓷膜微观结构,采用动电位极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)和慢应变速率拉伸试验(SSRT)研究了微弧氧化膜对7050铝合金在3.5%(质量分数) NaCl水溶液中腐蚀和应力腐蚀开裂(SCC)行为的影响.结果表明:微弧氧化膜层由表面疏松层与内部致密层组成,表面疏松层主要由Al2O3组成,内部致密层由氧化铝与铝烧结而成.微弧氧化膜层可以有效抑制7050铝合金表面的腐蚀萌生及明显降低腐蚀速率,且使7050铝合金的应力腐蚀敏感性出现显著下降
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8.1判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果。 (1)在图T8.1所示方框图中,产生正弦波振荡的相位条件是中F=±中A。() (2)因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的中=0,单管共集
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分别在空气和N2中高温烧结得到了不同掺杂浓度的Fe3O4:Zn粉末.X射线衍射(XRD)结果表明,空气中烧结使得样品过氧化,生成大量的α-Fe2O3相,而N2环境下烧结可以获得较纯的ZnxFe3-xO4相.Zn2+在反尖晶石结构中A位的替位掺杂,影响到B位Fe阳离子的价态分布,电子输运依然保持了电子变程跳跃的传导机制.磁性测量结果显示低浓度的Zn2+掺杂对Fe阳离子之间的超交换耦合作用产生影响,也使负的磁致电阻的数值有所改善
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