2.1 有两个TTL与非门G1和G2，测得它们的关门电平分别为: UOFF1=0.8 V, UOFF2=1.1V；开门电平分别为：UON1=1.9V, UON2=1.5 V。它们的输出高电平和低 电平都相等，试判断何者为优（定量说明）。 2.2 试判断图题2.2所示TTL电路能否按各图要求的逻辑关系正常工作？ 若电路的接法有错，则修改电路。 图题 2.2

8—1 模拟集成电路设计——电流模法 8—2 电流反馈型集成运算放大器 8—3 开关电流——数字工艺的模拟集成技术 8—4 跨导运算放大器(OTA)及其应用 8—5 在系统可编程模拟器件(ispPAC)原理及其软件平台

段码显示驱动模式 同时点亮七段显示器的七节LED，将需电流： 10mA×7＝70mA 若同时点亮6个七段显示器，则总电流高达： 70mA×6＝420mA≈0.5A

门电路是用以实现逻辑关系的电 子电路，与我们所讲过的基本逻辑关 系相对应，门电路主要有：与门、或 门、与非门、或非门、异或门等。 在数字电路中，一般用高电平代 表1、低点平代表0，即所谓的正逻辑 系统

6.1 一般问题 6.2 基本运算电路 6.2.1 比例运算 6.2.2 加法与减法运算 6.2.3 微分与积分运算 6.2.4 基本运算电路应用举例 6.3 对数和指数运算电路 6.4 集成模拟乘法器 6.4.1 集成模拟乘法器的基本工作原理 6.4.2 单片集成模拟乘法器 6.4.3 集成模拟乘法器的应用电路 6.5 有源滤波电路 6.5.1 有源低通滤波电路 6.5.2 有源高通滤波电路 6.5.3 有源带通滤波电路

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

14.1 D/A转换 14.2 A/D转换

第8章数字电路基础知识 8.1数制和编码 8.2逻辑代数

15.1 数字系统的组成 15.2 多路数据采集系统 15.3 可编程时钟控制电路 15.4 可编程彩灯控制电路

4.1反馈的基本概念 4.2 四种负反馈电路举例 4.3 负反馈对放大器性能的影响 4.4 深度负反馈电路电压放大倍数的估算