3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

§15.1 卤素 *15.1.6 拟卤素及拟卤化物 15.1.5 卤素的含氧化合物 15.1.4 卤化物 多卤化物 卤素互化物 15.1.3 卤化氢或氢卤酸 15.1.2 卤素单质 15.1.1 卤素概述 §15.2 稀有气体 15.2.1 稀有气体的发现 15.2.4 稀有气体化合物 15.2.3 稀有气体的存在和分离 15.2.2 稀有气体的性质和用途 §15.3 p区元素化合物性质的递变规律 15.3.1 p区元素的单质 15.3.2 p区元素的氢化物 15.3.3 p区元素的氧化物及其水合物 15.3.4 p区元素化合物的氧化还原性 15.3.5 p区元素含氧酸盐的溶解性和热稳定性

对了Ti3Al+Nb金属间化合物,用预裂纹试样研究原子氢引起的氢致开裂。结果表明,无论在室温还是高温(400℃),氢能促进局部塑性变形。当它发展到临界状态时,氢致裂纹就在塑性区中某一特征位置处沿滑移带形核。研究了氢作为暂时合金元素对氢致开裂门槛值KIH和断裂韧性KIC的影响。还研究了氢化物含量对氢致开裂门槛值KIH的影响。根据氢促进局部塑性变形从而促进解理断裂的理论导出了KIH的定量表达式

用簧片振动法研究了GDa－Si：H薄膜气氛渗氢后的内耗.当测量频率为47.5Hz时，在－46℃处观察到氢致内耗峰，其激活能为0.30±0.05eV，弛豫时间因子为3.52×10-9 s

采用扫描电镜观察、粉末镶嵌试样、XRD和模压成形等方法,研究了置氢对TC4合金粉末颗粒形貌、表面状态、显微硬度、显微组织、相组成和压制性能等的影响.结果表明:置氢TC4粉末颗粒形貌为不规则状,粉末基本由亮相α相及暗相β相组成,颗粒显微组织呈片状、针状和板条状.随置氢量的增大,置氢TC4粉末显微硬度总体上趋于降低;α相逐渐减少,β相逐渐增多,置氢量达到0.32%(质量分数)时出现少量的针状α″相,置氢量为0.42%和0.46%时组织为明显的板条状(δ氢化物);粉末的压缩性能逐渐变好,成形性能逐渐变差,置氢量0.46%的TC4粉末的压制性能最好

以石英纯矿物浮选回收率和季铵盐活性物含量为指标,进行了摩尔比、温度、时间等合成条件的优化.以酒钢焙烧磁铁矿实际矿石在捕收剂M-N作用下进行脱硅反浮选,所得铁精矿品位56.54%、回收率77.33%.在5~30℃条件下,浮选精矿指标稳定,耐低温性优良.捕收性能优于传统药剂十二胺和醚胺.Zeta电位和红外光谱分析表明,M-N在石英表面发生静电吸附作用和氢键作用,因此加强了浮选分离的效果

目前燃煤电厂对于SO2、NOx和PM等主要污染物已经有较为成熟的控制方法，但针对具有长期环境危害性的痕量污染物尚缺乏有效的排放控制手段。为全面掌握痕量污染物在煤燃烧过程中的释放、迁移和转化规律并开发相应的控制技术，建立稳定可靠的模拟烟气痕量污染物发生方法是开展相关研究的前提条件。通过文献调研，对常见痕量污染物的四种发生方法进行了总结、归纳和对比：溶液蒸发法较为简单易用，但产物中易含有副产物，这些副产物会带来一定的影响；燃烧法产生的痕量污染物最接近实际情况，但受实验条件影响较大，并且产物成分较为复杂；升华法获得的产物浓度较为准确，但适用范围较窄，仅用于某几种气态痕量污染物的发生；氢化物氧化法可准确地控制产物的发生速率，但也仅适用于少量痕量污染物，并且装置较为复杂。分析比较了不同方法的适用情形，最后提出多种方法联用的思路以期得到更加接近实际情形并且成分可控的结果

15.6 拟卤素 15.5 卤素的含酸及其盐 15.4 卤化物 多卤化物 15.3 卤素的氢化物 15.2 卤素单质 15.1 卤素概述

◼ 卤素与烯烃的加成反应、立体选择性及加成机理 ◼ 烯烃的正离子型聚合反应（二聚与多聚） ◼ 烯烃加成的过氧化效应——自由基加成及聚合 ◼ 烯烃的催化氢化及立体化学

氢化物的酸碱性取决于与氢直接相连的原子上的电子云密度, 电子云密度越小，酸性越强