一、振荡电路概述 二、RC桥式正弦波振荡电路 三、LC正弦波振荡电路 四、石英晶体振荡电路 五、非正弦波产生电路

《复合材料 Composites》课程教学资源（学习资料）第五章 陶瓷基复合材料_方石英作界面相

重点：正弦波振荡的条件、正弦波振荡电路的组成及电路产生正弦波振荡可能性的判断方法,桥式正弦波振荡电路的工作原理、振荡频率和起振条件,LC、石英晶体正弦波振荡电路的组成和影响振荡频率的因素；单限、滞回、双限比较器的特点及用途,电压比较器电压传输特性的分析方法；矩形波、三角波、锯齿波振荡电路的波形分析及影响振荡频率、振荡幅值的因素。难点：本章所讲述的电路具有一定的综合性,例如,三角波振荡电路中既含有集成运放工作在线性区的积分运算电路,又含有集成运放工作在非线性区的滞回比较器,因而给学习带来一定的困难

研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后，均未发生pest现象.6种材料都表现出优异的氧化抗力，原位合成的复合材料的氧化抗力好于传统的通过热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料（外加复合材料）.复合材料氧化膜表层为连续致密的α-SiO2（α-石英），下层为Mo5Si3，复合材料的氧化过程不仅是O2与MoSi2的作用，SiC也同时发生了氧化.材料900℃下发生硅的选择性氧化，正是这种硅的选择性氧化在MoSi2的表面自发形成一层致密的SiO2保护膜，使材料表现出优异的长期氧化抗力

以Cr35Ni45Nb合金为研究对象,进行不同气氛条件下高温时效及高温持久试验,并结合扫描电镜及定量电子探针对样品表面及横截面的观察分析,系统研究不同氧化条件下Cr35Ni45Nb合金组织演变与持久寿命的关系.结果表明:随着处理时间的延长,管材边缘及内部组织均逐渐发生变化.氧化序列体现为先是在样品边界不同地点形成不连续的氧化膜,随后氧化膜连成一体形成连续氧化膜,同时贫化区也逐渐形成;由于温度波动,氧化膜破裂脱落,而在氧分压较高的时效环境中,氧化膜得不到及时修复,使得贫化区晶界中出现内氧化.此外,在空气中氧化与在真空充氩气石英管中持久试验结果表明,较薄的连续氧化膜有助于提高合金的蠕变性能,而随着高温时效时间的延长,边界贫化区逐渐形成,氧化膜破裂及内氧化的发生,使得合金的蠕变性能逐渐弱化

对隧道窑直接还原焙烧-磁选法处理低品位难选赤铁矿石进行了探讨,重点研究助还原剂NCP的作用及机理.以煤作还原剂,质量分数为20%,CCO和NCP为助还原剂,质量分数分别为15%和5%,在焙烧温度为1200℃,焙烧时间为8 h的条件下,可以得到铁品位92.61%、铁回收率92.38%的铁精矿.利用X射线衍射和扫描电镜对助还原剂NCP的作用机理进行分析.结果表明NCP可以与原矿中石英发生反应,生成硅钠石和钠长石,破坏原矿结构,使还原性气体更易与赤铁矿接触发生还原反应生成金属铁

本文阐述蓝晶石,粘土的性能,在不同温度下的相变化和特性,以及它们在耐火可塑料中的作用。蓝晶石颗粒加热至一定温度,会发生相转变,生产高温性能好的莫来石,同时析出游离SiO2;伴随加热过程发生膨胀,而容重却下降。粘土矿物在常温下可塑,在高温下收缩,同时发生相转变,生成耐高温的莫来石及方石英。以此两种矿物为主要原料,再加入辅助原料和复合添加剂配制成耐火可塑料,具有常温可塑,高温下微膨胀,抗热震、抗压抗折强度高等特性

通过对西藏弄如日金矿主要矿石类型的岩矿相鉴定,主要组成矿物的扫描电镜/能谱(SEM/EDS)、电子探针(EPMA)和激光消融剥蚀-等离子体-质谱(LA-ICP-MS)分析,研究了该矿床的矿石矿物组成、金的赋存状态和工艺特性.结果表明:金主要以独立金矿物形式呈细粒-微细粒、不规则粒状产于黏土矿物粒间或黏土矿物与石英粒间,成色高(992～996);另有少量以\不可见金\的形式赋存于黄铁矿和毒砂中,\不可见金\对矿石金品位的贡献较小.银主要呈超显微包裹物,赋存于磷酸盐矿物中.在对自然金和载金矿物的粒度统计分析的基础上,对载金矿物在各种类型矿石中的质量分布进行了估算

采用添加助熔剂直接还原焙烧-磁选方法,对镍主要以硅酸镍形式存在的低品位红土镍矿中镍和铁的富集进行了研究.结果表明,同时添加助熔剂,可获得较好的技术指标.最佳工艺条件为:煤作还原剂,质量分数为15%;KD-2为助熔剂,质量分数为20%;焙烧温度为1200℃;焙烧时间为40min.在此条件下可以得到镍品位10.83%、铁品位52.87%、镍回收率82.15%和铁回收率54.59%的镍铁精矿.用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对还原过程中助熔剂和煤的作用机理进行了研究.发现KD-2可以与原矿中含镍的石英和硅酸盐矿物反应,释放出其中的镍;煤用量太多时可生成部分不含镍的金属铁,会造成镍的回收率降低

本章主要介绍的两部分内容： 1.信号处理电路: ⑴施密特触发器 ⑵单稳态触发器 ①.用门电路构成的单稳 ②.ASIC(专用芯片)单稳 ③.用IC.555芯片产生单稳态触发器 2. 波形发生电路: ⑴.用门电路构成的波形发生电路 ⑵.施密特型多谐振荡器 ⑶.石英晶体多谐振荡器 ⑷.IC.555多谐振荡器