利用利用X射线衍射、电子背散射衍射和透射电子显微镜等手段研究了Cu-Ni-Si系合金在不同固溶温度下第二相与织构对其平面各向异性的影响.结果表明:随固溶温度的升高,合金强度和伸长率均出现先升高后降低的趋势,且存在明显的各向异性;800℃固溶时,Cu'和S'为主织构,部分形变晶粒诱发少量Brass、Goss和{011}〈511〉取向的形成,使得合金各向异性减弱;高温固溶时(≥ 850℃),晶粒发生完全再结晶,Cu'和S'织构强度显著增加,Brass等织构减弱甚至消失,各向异性增强;850℃固溶时效后形成δ-Ni2Si析出相,并与基体满足[001]Cu//[1

Under appropriate cooling condition, intcrfacial phase appeared between α and β phases in Ti-5Al-2M0-3Zr alloy. Its thickness could reach 100 nm. The interfacial phase was either single layer structure or double layer structure. The monolithic layer adjacent to 3 phase was indentified as fee structure with relationship （110）β// （001）m, [11$\\mathop 1\\limits^{{\\rm{ - - }}} $]β /[110]m. The striated layer adjacent to a phase was indentified as hep with twin relationship {10$\\bar 1$1}<1$\\bar 0$12> to α. Thus, the study provided a new experimental fact for the controversial topic on structure of striated layer. Chemical composition of interfacial phase varied slightly with heat treatments, but always between that of α and β phases

采用ODF分析方法,对IF钢热轧钢板在冷轧过程中织构变化进行了分析.结果指出,随冷轧压下量的增加,钢板中晶粒的取向密度主要汇集于α、γ取向线附近,织构的变化也主要表现在α、γ取向线的{001}、{112}、{111}、{111}取向密度的增加上.其趋势是随形变量的增加,{111}、{111}织构增加幅度较大

测定了半工艺无取向电工钢热轧(终轧温度在Ar1以下)到成品各工序的织构,以取向分布函数(ODF)的形式对加临界变形的半工艺无取向硅钢的织构演变作了分析.发现其热轧板表层织构基本是典型的铁素体再结晶{111}组分,心部和1/4厚度处以铁素体剪切织构和轧制变形织构为主.冷轧变形后,心部和表层织构组分比较接近,{111}、{112}和{100}面织构都增加,但{111}组分增加最明显.软化退火后,{001}与{112}组分迅速降低,织构组分以γ纤维织构为主.通过增加临界变形,在最终去应力退火后,{111}不利面织构大量减少,高斯组分增加明显.Taylor因子可以表征不同取向晶粒对变形能的储存能力,从轧制变形时Taylor因子的分布可以解释该实验结果

上海交通大学：《技术创新导论》教学资源_技术创新导论 Antai College of Economics and Management 001-AM371 技术创新导论

中国工程教育专业认证协会：工程教育认证标准（团体标准 T/CEEAA 001—2022）Engineering Education Accreditation Criteria

光电成像理论与技术（书籍文献）可见光图像传感器资料——CMOS-MT9M001

河南大学：《药理学》课程教学资源（试卷习题）综合练习题001（答案在括号内，划线可见或选择后复制到文本编辑器）

采用EBSD微取向分析方法,通过分析高纯铝箔冷轧后退火的再结晶初期立方取向晶核的形成过程及立方取向晶粒的长大行为,探讨了高纯铝箔中立方织构形成的微观过程.结果表明,在高纯铝箔轧制基体上没有发现立方取向{001}<100>的晶核优先形成,但是再结晶完成以后却会出现较强的立方织构,因此高纯铝箔立方织构的形成主要是借助于立方取向晶粒的取向生长机制实现的.立方取向晶核容易在S取向{123}<634>的形变晶粒之间产生

报道了利用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜(TEM)研究结果,并对量子点的结构特性进行了讨论.结果表明:多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势;随着InAs量子点层数的增加,量子点的密度下降,其尺寸随层数的增加趋向均匀.在试验条件下,5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理,其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成