由4.1节知,实现频谱搬移功能的最基本电路是乘法器。 但实际使用的乘法器多利用非线性器件构成的。 我们的任务是找出非线性器件的相乘功能项,以实现 频谱搬移的要求

一、功率晶体管GTR 二、功率功效应晶体管（P-MOSFET） 三、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 四、自关断器件驱动电路

一、 电路模型与电路中基本变量 在集总假设的条件下，定义一些理想电路元件(如R、L、C 等)，这些理想电路元件在电路中只起一种电磁性能作用，它 有精确的数学解析式描述，也规定有模型表示符号。对实际的 元器件， 根据它应用的条件及所表现出的主要物理性能，对 其作某种近似与理想化(要有实际工程观点)，用所定义的一种 或几种理想元件模型的组合连接，构成实际元器件的电路模型

综合工具将 HDL 程序转换为 EDA 工具可以识别的形式，对应 为具体的电路结构形式；在采用 PLD 进行设计时，综合工具 可以将设计映射到具体的 CPLD 或 FPGA 器件上，对应得到与 器件相关的技术实现方式；

5.1概述 5.1.1 MOS管的基本特性 5.1.2CMOS逻辑电路 5.2半导体存储器 5.2.1随机存取存储器 5.2.2只读存储器 5.3可编逻辑器件 5.3.1可编程逻辑阵列 5.3.2可编程阵列逻辑 5.3.3其它可编程逻辑器件

本章主要通过逻辑符号、集成电路的功能表、特殊引出端的控制作用等方面讲了几种组合逻辑器件

1.1 半导体器件基础 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件

外光电效应: 在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象。 如光电管、光电倍增管 内光电效应: 在光线作用下能使物体电阻率改变的现象， 如光敏电阻等属于这类光电器件。 阻挡层光电效应(光生伏特效应): 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动 势的现象

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

内容主要有： 半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、参数 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管和场效应管