1、虚拟存储系统的基本概念 2、分页存储管理 3、分段存储管理 4、段页式存储管理 5、页(段)的置换算法和系统行为 6、页架分配算法

以某含镍1.86%(质量分数)、铁13.24%(质量分数)的红土镍矿为对象,分别采用石煤和无烟煤作为还原剂,考察了煤种对红土镍矿中镍的选择性还原的影响.结果表明,用石煤作为还原剂能够达到镍选择性还原的目的.X射线衍射及扫描电镜分析研究表明,还原过程中镍、铁先以镍纹石形式存在,随着煤用量增加,逐渐变为以铁纹石形式存在.同时随着煤用量的增加,焙烧后生成的含镍铁矿物中镍的比例逐渐递减,而铁的比例逐渐递增.石煤为还原剂时焙烧产物中主要以镍纹石的形式存在,同时金属铁的生成量比无烟煤作还原剂时低,因此采用石煤作还原剂比无烟煤作还原剂对镍还原具有更强的选择性,可以得到更高镍品位的镍铁精矿

第4章 存储系统 ● 存储器是计算机系统的重要组成部分，用它来存放程序和数据。 ● 存储系统由存放程序和数据的各类存储设备及有关的软件所构成。 • 有了存储器，计算机就具有记忆能力，因而能自动地进行操作。 第5章 指令系统 •计算机的指令有微指令、机器指令和宏指令之分。微指令是微程序级的命令，属于硬件；宏指令是由若干机器指令组成，属于软件；机器指令介于二者之间，因而是硬件和软件的界面。 •一台计算机能执行的机器指令全体称为该机的指令系统。它是软件编程的出发点和硬件设计的依据，它衡量机器硬件的功能，反映硬件对软件支持的程度。 第6章 中央处理机组织 ● CPU概念：控制并执行指令的部件，该部件不仅要与计算机的其它功能部件进行信息交换，还要控制它们的操作。 ● CPU基本功能：读取并执行指令，它通常包括控制器与运算器两大部分

1.1计算机概述 一、什么是计算机 计算机是一种能对各种信息进行存储和高速处理的工具或电子机器。 对上述定义要强调两点: ①计算机不仅是一个计算工具,而且还是一个信息处理机。 ②计算机不同于其它任何机器,它能存储程序,并按程序的引导自动存取和处理数据,输出人们所期望的信息

对萤石矿物进行掺杂灼烧.制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对称性分析,可以推断该体系中主要存在2类发光中心,其格位对称性分别为C4V,和C3V.Eu3+离子进入CaF2晶格,与Ca2+离子不等价置换,由于电荷补偿,Eu3+周围常常存在间隙Fi-的缺陷机制,间隙的存在,降低了局域对称性(由Oh降低为C4V。或C3V),打破了宇称选择定则,促进了Eu3+离子的发光

对织金新华含稀土磷矿酸解过程动力学及稀土浸出机理进行了研究.结果表明:∑REO转化率动力学曲线与P2O5转化率动力学曲线变化趋势相近,即随着温度和溶液酸度的升高,稀土的转化率提高;∑REO的酸解动力学可用德罗兹多夫方程来很好的描述,拟合曲线的相关系数在0.99以上.根据Arrhenius方程对磷矿酸解过程P2O5的反应表观活化能计算表明,织金新华磷矿酸解的主要反应为固态膜扩散控制过程,而稀土在磷矿中的类质同象存在形态也决定了其反应属于固态膜扩散控制过程.织金新华磷矿酸解过程稀土的浸出机理分析表明,稀土主要以RE2(SO4)3形式存在于溶液中,而磷石膏中的稀土以RE2(SO4)3和硫酸钙晶体包裹的形式存在

从含化合物金属熔体的原子本性和分子本性(活度的负偏差、混合△G和△H显示最小值、过剩稳定性的突然升高、电阻率显示最大值和相图等)出发,提出了反映本熔体实际的原子和分子共存理论。根据此理论制定了不同金属熔体作用浓度(即实测的活度)的计算模型。计算结果与实际符合的事实证明共存理论恰当地反映了含化合物金属熔体的结构本质

根据炉渣结构的共存理论用回归分析法确定了MnSiO3和Mn2SiO4是存在于MnOSiO2渣系中且参加其内部化学反应的组元。由此得出本渣系的结构单元为Mn2+,O2-简单离子和SiO2,Mn2SiO3,Mn2SiO4分子,进而推导出本渣系各组元作用浓度的计算模型。在1600℃下计算的NMnO与实测aMnO一致;但在高MnO含量和低温度下两者间表现出差别,这是由于MnO-SiO2渣系中出现两相共存的现象,使系统远离平衡所致

存储器是计算机系统的重要组成部分,虽然 内存容量在不断扩大,但内存仍是宝贵资源, 如何提高主存储器利用率,并扩充大主存,对 主存信息实现有效保护是存储器管理主要任务 ,也是各种不同存储管理方法的目标

研究了500℃高温条件下注氢对V-4Cr、V-4Ti和V-4Cr-4Ti三种合金微观结构的影响.在注氢实验之前,V-4Cr合金的基体清晰干净,而V-4Ti和V-4Cr-4Ti两种合金的基体中则出现很多相互平行和垂直的针状析出相,且大部分析出相周围都存在着位错.在500℃注氢实验之后,V-4Cr合金基体中出现大量的分布不均的黑色点状缺陷和缺陷簇,而V-4Ti和V-4Cr-4Ti两种合金的基体中除产生点状缺陷外,还出现高密度的气泡,且V-4Cr-4Ti合金中气泡的平均尺寸要稍小一些.另外,V-4Ti和V-4Cr-4Ti合金基体中原有的析出相在注氢实验之后都发生不同程度的溶解.在观察V-4Cr-4Ti合金基体中气泡分布规律时发现,在距离晶界25 nm的范围内几乎看不到气泡的存在,由此推断晶界的存在可以抑制氢气泡等辐照缺陷的产生