第十章波动光学 基本要求 1.光程概念,会按光程定义计算光程差,会按干涉条纹级次确定光程差, 2.掌握杨氏干涉,等厚干涉,迈克尔孙干涉仪和光栅分光原理(光栅公式) 3.理解处理光衍射的半波带法 4.掌握产生、检查偏振光的方法

几何光学:运用光线和波面的概念,以光 的几个实验定律以及几何学的一些公理、定理 为基础来研究光在介质中的传播。 光线—表示光波传播方向的带箭头的几何线 波面光波相位相 同的面。波面是垂直 于光线的平面或者曲面

第六章光弹性实验 实验一光弹仪调整及其光学效应演示 一、实验目的 1、了解409-Ⅱ光测弹性仪各部分名称和作用,初步掌握光测弹性仪的使用方法 2、观察模型受载后在偏振光场中的光学效应; 3、学习辩识等差线条纹图的方法; 4、学习辩识等倾线条纹图的方法。 二、仪器设备和模型 1、409-Ⅱ型光测弹性仪; 2、光弹模型。 三、实验原理和方法

4.1 光盘技术的发展与应用 4.2 CD_ROM光盘系统 4.2.1 光盘制作原理与方法 1.光盘驱动方式与光道结构 2.信息存储原理与调制编码 3.光盘制作的基本过程 4.2.2 CD_ROM的物理存储格式 1.CD_ROM盘片的物理结构 2.数据的扇区结构和帧结构 3.一组典型数据计算

采用溶胶-凝胶法制备纳米粉末TiO2,运用XRD技术对样品进行了表征.以中压汞灯为光源,在圆柱型石英光催化反应器上进行了酸性黑染料光催化反应性能考察.讨论了煅烧温度、空气流量、试液的pH值、光照时间与酸性黑染料光催化降解率的关系.实验结果表明,煅烧温度使TiO2光催化性能得到显著改善.TiO2在400℃煅烧3h,XRD曲线上出现宽化锐钛矿型衍射峰;到500℃,所有晶粒均为锐钛矿型结构,随着煅烧温度升高,晶粒中金红石型含量相应增加;到750℃,粉末中的所有晶粒均为金红石型结构.但是对于同一煅烧温度,煅烧时间不同,晶型不发生变化.煅烧温度为600℃时,TiO2光催化活性最高.在优化实验条件下,光照140min,酸性黑染料光催化降解率达到100%

采用溶胶凝胶法制备了La-Ce共掺杂的La3+-Ce3+/ZnO光催化剂,同时用同种方法制备了ZnO、La3+/ZnO和Ce3+/ZnO以作对比.通过X射线衍射仪、透射电镜、紫外可见分光光度计,比表面及孔隙度分析仪等对制备的光催化剂进行了表征.以亚甲基蓝为模型污染物对所制备的光催化剂的光催化特性进行了评价.结果表明,所制备的La3+-Ce3+/ZnO光催化剂基本呈长方柱状,尺寸平均为57.3 nm,La-Ce共掺杂提高了ZnO的结晶度,促进了晶粒的长大.根据光催化实验结果,La-Ce共掺杂能够显著提高ZnO的光催化活性.在光催化降解500 mL的10 mg·L-1亚甲基蓝实验中,La3+-Ce3+/ZnO光催化剂对亚甲基蓝的降解率达93.7%,比纯ZnO、La3+-ZnO和Ce3+-ZnO分别提高了21.4%、19.2%和9.3%

文章介绍了集成光开关的发展现状及核心技术,包括采用氧化硅I-V族半导体材料和硅材料来制作光开关的进展以及各种技术的特点。其中硅基集成光开关具有结构紧凑、功耗小、成本低以及与互补型金属一氧化物一半导体(CMOS)工艺兼容的优势,适合大规模光开关制作和量产,具有潜在的巨大市场商用价值。文章重点介绍了实现硅基光开关的核心单元器件以及几种代表性光开关阵列并对光开关状态监控和调节以及光电封装做了阐述

第十章波动光学 基本要求 1.光程概念,会按光程定义计算光程差,会按干 涉条纹级次确定光程差, 2.掌握杨氏干涉,等厚干涉,迈克尔孙干涉仪和光栅分光原理(光栅公式) 3.理解处理光衍射的半波带法

通过溶剂热法制备了具有可见光光催化活性的BiVO4/TiO2-石墨烯复合光催化剂.利用X射线粉末衍射、透射电子显微镜、紫外-可见漫反射光谱和荧光发射光谱对样品进行表征,复合光催化剂的催化活性以模拟太阳光条件下降解水溶液中亚甲基蓝来评价.结果表明：BiVO4/TiO2-石墨烯复合光催化剂在530-800 nm的可见光范围具有很强的吸收峰.石墨烯的引入不仅拓宽了光谱响应范围,而且使得BiVO4和TiO2粒子均匀地分散在石墨烯薄片上,能快速捕获并迁移电子,有效地提高了光生载流子的分离效率,从而提高其光催化活性

研制了一种无机材料构成的验电标识,放置在导线周围,通过电场驱动电子的运动,促进载流子复合,进而使材料发光,从而判断带电情况,其作为验电标识使用非常便捷.选取了氮化镓GaN材料进行研究,以GaN、InGaN等材料为基础,通过溶胶凝胶法、气相外延等方法制备接触层、基片层、材料层等结构,进而获得了验电标识,该验电标识的发光层是具有多量子肼结构的纳米棒阵列.然后对其进行了电学光学性能参数测试,获得了有关特性曲线,通过Ansoft-maxwell有限元软件进行仿真,分析材料在特高压输电线路周围的电场分布,通过试验分析验电标识发光所需求的电磁环境.最后模拟导线现场进行测试.研究表明,该低场致发光特性的验电标识具有发光功耗低,发光明显等优点,其处于所在区域的电场强度达到1.2×106V·m-1以上时,可激发发光,此时所注入电流约为1.1 mA.通过仿真和试验分析可知带电特高压输电线路周围的空间电场强度满足验电标识发光指示的要求,同时空间杂散电流和材料本身的电容效应提供注入电流.该验电标识通过材料本身发光特性来指示带电状态,安装在距离特高压导线轴线13 cm及以内的范围即可实现验电,通过封装具有较好的耐候性能,同时避免了复杂的电路装置验电存在易受电磁干扰,可靠性差等问题