第一节 过电流保护的任务和要求 第二节 熔断器保护 第三节 低压断路器保护 第四节 常用的保护继电器 第五节 工厂高压线路的继电保护 第六节 电力变压器的继电保护 第七节 高压电动机的继电保护

扼要综述了我国等离子体材料工艺研究的新近进展.内容包括:热等离子体源,等离子冶金、化工、超细粉合成、喷涂;低气压非平衡等离子体源,镀膜,表面改性,等离子浸没离子注入;电晕放电,介质阻挡放电,滑动弧等及其应用.当前,各类薄膜制备和表面改性的研究工作最为活跃

在相同电压作用下,负载获得同样大小 的功率,功率因数越低,则所需电流越 大,将加大电源电流的负担。此时,如 能改变阻抗角,使φ→0,就能减小电流 一般用电器都是感性的,因此,常用并 联电容来减小阻抗角

采用5Cu-9.5NiO-85.5NiFe2O4金属陶瓷阳极在不同的低温铝电解质体系中进行测试.用扫描电镜和X射线衍射对电解后阳极的微观结构进行研究;用电感耦合等离子体原子发射光谱测定电解后产品铝和电解质中杂质元素含量,计算并比较不同电解质组成条件下的阳极腐蚀速率.结果表明:向Na3AlF6-30AlF3体系添加质量分数约为20%的K3AlF6,该阳极表现出好的耐腐蚀性能

在原子结构中,电子分布符合能量最 低原则。基态是原子最稳定状态。 但是自然界中却发现,绝大多数元素 不以原子形式存在,而以化合物形 式存在,并且的原子数总是符合一 定比例的结合Na-Cl,H2O 说明化合物中的元素之间,存在着内 在地关系;说明原子并非是最稳定 的状态

§4-1 引言（从频域求响应） § 4-2 信号通过系统的频域分析方法 § 4-3 理想低通滤波器的冲激与阶跃响应 §4-4 佩里－维纳准则

文章介绍了集成光开关的发展现状及核心技术,包括采用氧化硅I-V族半导体材料和硅材料来制作光开关的进展以及各种技术的特点。其中硅基集成光开关具有结构紧凑、功耗小、成本低以及与互补型金属一氧化物一半导体(CMOS)工艺兼容的优势,适合大规模光开关制作和量产,具有潜在的巨大市场商用价值。文章重点介绍了实现硅基光开关的核心单元器件以及几种代表性光开关阵列并对光开关状态监控和调节以及光电封装做了阐述

可降阶的高阶微分方程 前面介绍了五种标准类型的一阶方程及其 求解方法,但是能用初等解法求解的方程为数腥 当有限,特别是高阶方程,除去一些特殊情况可 用降阶法求解,一般都没有初等解法, 本节介绍几种特殊的高阶方程,它们的共 同特点是经过适当的变量代换可将其化成较低阶 的方程来求解

2.3 电路中的谐振 2.3.1 串联谐振 2.3.2 并联谐振 2.4 网络的频率特性 — 转移函数 2.4.1 转移函数的幅频特性和相频特性 2.4.2 低通电路、高通电路 2.4.3 波特图

第五章煤发热量的测定 火电厂是利用煤炭等燃料燃烧产生热量来生产电能的企业。发热量的高低是煤炭计价的 主要依据,是计算电厂经济指标标准煤耗的主要参数,故发热量的测定在发电厂煤质检测中 占有特殊重要的地位