在本章中，将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论。 9.1 显影 9.2 硬烘焙

• 精馏塔操作工艺分析 • 精馏塔操作工艺要求 • 精馏塔质量指标选取 • 精馏塔常规控制方案 • 精馏塔的前馈－反馈控制方案

1.1常减压蒸馏概述 1.2石油及其馏分的气-液相平衡 1.3石油蒸馏塔及其工艺特征 1.4减压蒸馏塔 1.5常减压蒸馏装置组成及工艺流程 1.6原油预处理

本文综述了光纤法布里-珀罗干涉仪的基本原理、制备技术、及其压力和温度传感应用的研究进展详细介绍了湿法化学腐蚀制备法、弧放电制备法、飞秒激光制备法、聚合物辅助制备法等常见光纤法布里-珀罗腔传感器的制作工艺,分析了不同制作工艺的优缺点详细介绍了光纤法布里珀罗干涉仪在温度传感、压力传感和温压一体传感领域的应用;最后对光纤法布里珀罗干涉温度压力传感器的发展进行了总结和展望

1.交流绕组 三相交流绕组的构成原则是: (1)力求获得较大的基波电势;(2)保证三相电动势对称;(3) 尽量削弱谐波电势,力求接近正弦波;(4)节省材料和工艺方便。 交流绕组通常分为单层和双层两大类。双层绕组又分为叠绕组和波绕组。双层绕组的特点是可 灵活地设计成各种短距绕组来削弱谐波,对于叠绕组,短距时还可节省端部用铜。单层绕组的特点 是工艺简单,但不能像双层绕组那样设计成短距以削弱谐波

1.学会使用软件手册，对工艺对象的特性加以琢磨 2.专用组态软件，VB/VC/CB软件 3.组态软件的基本含义、发展趋势与特点 4.组态软件的图形开发界面 5.工艺控制流程图的组态设计步骤 6.复杂图形对象的组态及应用

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

通过Gleeble-1500热模拟压缩试验，借助光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射及拉伸试验等，研究一种低碳Mn-Si钢在基于热轧动态相变的热轧TRIP钢工艺和基于贝氏体等温处理工艺下的组织与力学性能，比较了通过两种工艺获得的不同复相组织状态对材料的加工硬化能力的影响.结果表明：实验钢在基于动态相变的热轧TRIP钢工艺下获得了以细晶铁素体为基体和贝氏体、残余奥氏体组成的复相组织，而在基于贝氏体等温处理工艺下得到了以板条贝氏体为基体和残余奥氏体组成的复相组织，前者中残余奥氏体含量较高且其碳含量也较高.实验钢具有以板条贝氏体为基体的复相组织时屈服强度和抗拉强度较高；但由于残余奥氏体稳定性较差，实验钢的加工硬化能力较弱，导致其均匀延伸率和总延伸率较小

扼要综述了我国等离子体材料工艺研究的新近进展.内容包括:热等离子体源,等离子冶金、化工、超细粉合成、喷涂;低气压非平衡等离子体源,镀膜,表面改性,等离子浸没离子注入;电晕放电,介质阻挡放电,滑动弧等及其应用.当前,各类薄膜制备和表面改性的研究工作最为活跃