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1.电偶极子模型 模型 光通过物质时,物质中的原子、离子或分子的电荷在入射光电矢量作用下做受迫振动
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1.C、L的VCR uc(、(不跳变(跃变), 动态电路需要先求取初始值 2.三要素法 换路定则的应用, 三要素公式适用于全响应,零状态响应 和零输入响应
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1.网孔法(平面网络)b-n+1个变量人为地假设存在网孔电流,列写每一个网孔的KVL方程方程左边
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3.1 负反馈的概念 3.2 负反馈的类型及分析方法 3.3 负反馈对放大电路的影响
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Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET
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Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com
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1. 掌握脉冲波形基本参数及参数间的关系; 2.了解TTL与非门原理,主要特性参数; 3.掌握555定时器原理、功能及应用; 4.掌握单稳态触发器的功能、分析方法及典型电路(由555、运放等组成的);
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13.1电力系统 13.2工业企业配电 13.3安全用电
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The IPMTS.OAT1/T3 Series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients http:/lonsemi.com Excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. The advanced packaging technique provides for a highly efficient micro miniature, space PLASTIC SURFACE MOUNT saving surface mount with its unique heat sink design. The
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