4.1结型场效应管 4.2砷化镓金属-半导体场效应管 4.3金属氧化物-半导体场效应管 4.4场效应管放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较

8-1ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器 8-2相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数0 不同点:只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便更改 PROM是可编程只读存储器。 EPROM是可擦除的可编程只读存储器

2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入（ ） A.3 价元素 B.4 价元素

4.1结型场效应管掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点 4.2砷化镓金属半导体场效应管 4.3金属氧化物半导体场效应管MOS管,简单介绍 4.4场效应管放大电路类比:与BJT放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较

3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应

7.1半导体二极管 7.2半导体三极管 7.3三极管单管放大电路 74场效应晶体管及其放大电路 07.5多级放大电路 7.6差动放大电路 7.7互补对称功率放大电路

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

7.1半导体存储器的分类 7.2存储器的组成 7.3存储器的主要技术指标 7.4只读存储器(ROM) 7.5随机存储器(RAM) 7.6存储器的扩展

第2章半导体三极管及其基本放大电路 2.1三极管的结构和放大 2.2共射放大电路的组成与静态分析 2.3放大电路动态分析 2.4共集电极和共基极电路