通过化学气相沉积法制备三维(3D)泡沫石墨烯(GF),然后利用水热合成法在泡沫石墨烯表面生长氧化锌纳米线阵列(ZnO NWAs),再利用化学气相沉积法在其表面沉积碳(C),得到碳/氧化锌纳米线阵列/泡沫石墨烯(C/ZnO NWAs/GF)复合材料.用该复合材料做电极,采用电化学方法检测叶酸(FA).结果表明,三维泡沫石墨烯具有和模板泡沫镍一样的三维孔状结构,ZnO NWAs均匀且垂直地生长在泡沫石墨烯表面,碳沉积在ZnO NWAs表面.在线性范围为0~60 μmol·L-1内,C/ZnO NWAs/GF电极检测FA时,灵敏度为0.13 μA·μmol-1·L,且在尿酸(UA)干扰下检测FA具有良好的选择性.C/ZnONWAs/GF电极有良好的稳定性和重复性

GH220合金正常热处理组织有γ基体。γ′、MC、M6C和M3B2相。第一阶段晶粒长大温度1150℃—1170℃,第二阶段为1210℃。碳化物相M6C最大析出峰在1000℃左右,并发现不同成分的二种M6C相。正常热处理得不到大小二种γ′,等温弯晶热处理能得到大小γ′和弯曲晶界组织。长期时效,低W、Mo、Al、Ti（17.61％）合金析出M23C6相。当W+Mo大于12％（如12.31％）正常热处理会析出少量μ相;等于12％时,时效后才出现μ相。合金中加入微量元素Mg可改变碳化物形状,使之细化

要通过Wi n s o c k建立通信，必须了解如何利用指定的协议为工作站定址。本章将一一说明 Wi n s o c k支持的协议以及各协议如何把一个指定家族的地址解析成网络上一台具体的机器。 Winsock 2引入了几个新的、与协议无关的函数，它们可和任何一个地址家族一起使用；但是 大多数情况下，各协议家族都有自己的地址解析机制，要么通过一个函数，要么作为一个投 给g e t s o c k o p t的选项。本章只讲解各协议组成地址结构时所需的一些基本知识

一、选择题或填充题(30分,每答或每空2分): 1-5.B、C、A、C、B 6-11.C、B、C、D、D、D 12.填空9.30,9.34

5.1软件开发过程及开发工具 5.2公共目标文件格式 5.3常用汇编伪指令 5.4链接器命令文件的编写与使用 5.5汇编语言程序编写方法 5.6TMS320C54C语言编程 5.7用C语言和汇编语言混合编程

第1 章 ADS集成开发环境及EasyJTAG 仿真器应用 1.1 ADS 集成开发环境的组成 1.1.1 CodeWarrior IDE 简介 1.1.2 AXD 调试器简介 1.2 工程的编辑 1.2.1 建立工程 1.2.2 建立文件 1.2.3 添加文件到工程. 1.2.4 编译连接工程. 1.2.5 打开旧工程. 1.3 工程的调试 1.3.1 选择调试目标 1.3.2调试工具条 1.4 LPC2200 系列ARM7 微控制器工程模板 1.4.1 为ADS1.2 增加LPC2200 专用工程模板 1.4.2 使用LPC2200 专用工程模板建立工程 1.4.3 模板适用范围 1.5 EasyJTAG 仿真器的安装与应用 1.5.1 安装EasyJTAG 仿真器 1.5.2 使用EasyJTAG 仿真器 1.6 固化程序 1.6.1 片内FLASH 的固化 1.6.2 片外FLASH 的固化 第2章 基础实验 2.1 外部中断实验 2.2 外部存储器接口实验 2.3 定时器实验 2.4 UART 实验 2.5 I 2 C 接口实验 2.6 SPI 接口实验 2.7 RTC 实验 2.8 低功耗实验 第3章 基于μC/OS-II 的基础实验 3.1 SPI 总线的LED 控制应用. 3.2 I 2 C 总线的EEPROM 应用 C 总线的ZLG7290 应用 3.4 LPC2000 系列微控制器MODEM 接口软件包 3.4.1 概述 3.4.2 软件包的使用 3.4.3 设计原理