 1 库仑定律和电场强度  2 真空中的高斯定理  3 电位  4 介质极化与高斯定理的一般形式  5 静电场的基本方程和边界条件  6 电容  7 静电场的能量

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

一、电荷 、电荷守恒定律 二、库仑定律 三、电场强度与电场 四、电位移、电力线、电通量、高斯定理 五、静电场力作功 六、电势差和电势

5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

第五章:静电场 1.理解描述电场的物理量--电场强度和电势的含义:

熟练掌握公共交通场所礼仪（包括行路礼仪、 行车礼仪、乘车礼仪、乘坐自动扶梯和电梯礼仪）和公共文化场所礼仪（包括博物馆、艺术厅礼仪，影剧院礼仪，体育场礼仪）。 掌握商业、娱乐、餐饮、住宿场所礼仪和公共医疗卫生场所礼仪。 了解互联网交际礼仪（包括E-mail礼仪、聊天室礼仪、浏览网站礼仪）

一．电动现象 1. 电冰：胶粒在电场中运动 2. 电渗：介质在电场中运动 3. 流动电势：使介质移动，产生电场 4. 沉降电势：使胶粒移动，产生电场

第十章静电场与实物的相互作用 10.1静电场中的导体 10.2静电场中的电介质

开发了基于五孔球形探针测速法的三维流场计算机测量系统,并将其应用于一系列新型氧煤枪流场测量.该系统具有简单、方便、快速、精度高等特点.对GY-B1型高炉氧煤枪的流场测定分析表明,直吹管内各截面上的轴向速度类似高斯分布;氧煤枪出口附近的动量、质量交换激烈,有助于氧,煤的混合和燃烧