8.1 市场细分 8.2 目标市场 8.3 市场定位

《高等数学》课程教学资源（空间解析几何教学课件）5-3平面束 直线与平面的位置关系_5-3平面束 直线与平面的位置关系

《高等数学》课程教学资源（空间解析几何导学单）5.平面束、直线与平面的位置关系_5.平面束、直线与平面的位置关系

4.1 分子间作用能 4.2 位能函数 4.3 配分函数 附录B 统计热力学简介

§7.1 晶体滑移机构及位错模型的提出 §7.2 柏氏矢量 §7.3 位错的产生、运动及增殖机构 §7.4 位错的应力场和应变能 §7.5 位错与其他缺陷间的相互作用 §7.6 锗硅单晶中的位错

掌握端脑的分叶和主要沟回的名称、位置；基底核的组成，纹状体的概念、区分和功能；大脑皮质的机能定位：第I躯体运动区，第I躯体感觉区、视区、听区、各语言中枢的位置及损伤表现；内囊的位置、分部、各部通过纤维束及损伤表现。熟悉侧脑室的位置，分部、交通；大脑半球髓质的分类，连合系的组成。一了解大脑皮质的分区（Brodmann），外囊和最外囊的位置，联络系纤维的组成，边缘系统的组成与功能

第一节 点缺陷 POINT DEFECTS 点缺陷的形成 点缺陷的浓度 点缺陷的运动 点缺陷与材料行为 第二节 位错的基本概念 PRIMARY CONCEPT OF DISLOCATION 位错学说的产生 位错的基本类型和特征 位错的运动 第三节 位错的弹性性质 THE ELASTIC NATURE OF 位错的应力场 位错的应变能 作用在位错上的力 位错的线张力 位错与点缺陷的交互作用 位错间的交互作用力 第四节 位错的增殖 位错的密度 位错的增殖 第五节 实际晶体结构中的位错 THE DISLOCATION IN ACTUAL CRYSTAL STRUCTURE 实际晶体 结构中的 伯氏矢量 堆垛层错 不全位错 位错反应 面心立方 第五节 表面与界面 外表面 晶界与亚 晶界 孪晶界 相界

第一节 点缺陷 POINT DEFECTS 点缺陷的形成 点缺陷的浓度 点缺陷的运动 点缺陷与材料行为 第二节 位错的基本概念 PRIMARY CONCEPT OF DISLOCATION 位错学说的产生 位错的基本类型和特征 位错的运动 第三节 位错的弹性性质 THE ELASTIC NATURE OF 位错的应力场 位错的应变能 作用在位错上的力 位错的线张力 位错与点缺陷的交互作用 位错间的交互作用力 第四节 位错的增殖 位错的密度 位错的增殖 第五节 实际晶体结构中的位错 THE DISLOCATION IN ACTUAL CRYSTAL STRUCTURE 实际晶体 结构中的 伯氏矢量 堆垛层错 不全位错 位错反应 面心立方 第五节 表面与界面 外表面 晶界与亚 晶界 孪晶界 相界

§4-1 电化学分析法概述 §4-2 电位分析法原理 §4-3 电位法测定溶液的pH值 §4-4 离子选择性电极法 §4-5 测定离子活（浓）度的方法 §4-6 影响测定的因素 §4-7 离子选择性电极分析的应用 §4-8 电位滴定法 §4-9 电位滴定法的应用和指示电极的选择

针对亚微米尺度晶体元器件在加工和服役中出现的反常力学行为和动态变形等问题，基于离散位错动力学理论建立了单晶铜塑性变形过程的二维离散位错动力学模型。该模型考虑外加载荷、位错间相互力和自由表面镜像力对位错的作用机制，引入了截断位错速度准则。与微压缩实验对比验证了模型的正确性，并且能够描述力加载描述的位错雪崩现象。应用该模型分析了不同加载方式和应变率下位错演化及力学行为，结果表明：当外部约束为力加载和位移加载时，应力应变曲线分别呈现出台阶状的应变突增和锯齿状的应力陡降，位错雪崩效应的内在机制则分别归结为位错速度的随机性和位错源开动的间歇性；应变率在102～4×104 s?1范围内，单晶铜屈服应力的应变率敏感性发生改变，位错演化特征由单滑移转变为多滑移面激活的均匀变形，位错增殖逐渐代替位错源激活作为流动应力的主导机制