通过对某钢厂脱磷转炉炉渣磷酸盐容量计算和分析并结合前人的研究成果,得出实测炉渣磷酸盐容量与炉渣中碱性氧化物含量、炉渣光学碱度、炉渣中全铁含量和温度的变化关系,并结合生产数据拟合出炉渣的组成与炉渣磷酸盐容量的表达式.将文献报道的不同炉渣磷酸盐容量模型的计算值与实测值进行了对比和分析.基于共存理论建立了本渣系炉渣磷酸盐容量预测模型,误差分析表明该预测模型准确可信,将为现场生产提供理论指导

铁氧化物是具有非化学计量比的化合物,非化学计量对铁氧化物的还原过程带来一系列影响.本文采用Dieckmann缺陷模型和Weiss的浮氏体理想固溶体模型分别对非化学计量比的磁铁矿和浮氏体进行了热力学计算.同时根据电荷守恒和物质守恒,对铁氧化物固溶体的综合缺陷度δ与还原失重率和亚铁含量的关系进行了分析,以期对实验终产物的判定提供依据.通过理论分析与计算,最终明确了不同化学计量比的磁铁矿和浮氏体在不同温度下的平衡还原势PCO(H2),即相应的优势区图.在给定还原势的纯赤铁矿等温还原过程(未有金属Fe生成时),当失重率小于6%时,还原产物属于Fe3+占优势的磁铁矿区域;当失重率高于6%时,反应进入Fe2+占优势的浮氏体区域

一、适宜资料:多个自变量x与一个依变量y呈线性相关关系。 二、分析目的:分析多个自变量x与一个依变量y的相关关系,并把各自变量x与y的总关系(影响),即相关系数r分解为x对y的直接作用(通经系数P)及间接作用,并利用通经系数比较各x对作用程度的相对大小

用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理

从内蒙古某处土壤中分离出一株分解尿素的产氨细菌（命名为 JAT-1），革兰氏阴性，菌落表面平整湿润，乳白色，短杆状.菌体尺寸为φ0.2~0.4μm×1.5~2.0μm.结合16S rDNA测定和菌株系统发育树分析，其与Providencia Sp. Sam 130-9A同源性高达99%.对其生长特性研究结果表明：JAT-1以10 g×L-1柠檬酸钠作为碳源，20 g×L-1尿素作为氮源，最佳生长pH值范围为8.0——9.5，最佳初始接种浓度20%.采用该细菌进行碱性铜矿摇瓶浸出实验，144 h后铜浸出率可达42.38%，表明该菌株具有应用于碱性铜矿浸出的潜力

DEM和DTM主要用于描述地面起伏状况,可以用于提取各种地形参数, 如坡度、坡向、粗糙度等,并进行通视分析流域结构生成等应用分析。因此, DEM在各个领域中被广泛使用。 DEM可以有多种表达方法,包括网格、等高线、三角网等,本章同时介绍了这些 表达方法之间的相互转换算法,如由三角网生成等高线,网格DEM生成三角网等 等

在铁基粉末冶金材料中,为了获得强韧化效果,磷已被作为添加元素之一。本研究利用俄歇能谱、扫描电镜及能谱仪等研究了含0.6%磷的Fe-P-C-Cu-Mo合金中磷的分布及其对性能的影响。发现在1080℃～1200℃烧结,磷在晶界的浓度高于其在晶内的浓度。在此温度范围内,烧结温度越低,磷在晶界的偏聚程度越高。当烧结后的合金中含有大量的铁素体时,磷的这种偏聚状态对合金冲击韧性的影响被合金组织的影响所掩盖。在1080℃～1240℃烧结的合金断口均为穿晶断裂。此外还观察到回火后磷的分布对合金断裂方式及机械性能影响很大。合金淬火后在200℃回火,固溶在基体中的钼具有抑制磷向晶界偏聚的作用,合金断口表现为穿晶断裂;在400℃回火,由于钼形成了碳化钼（Mo2C）,失去了抑制磷偏聚的作用,这时磷主要偏聚在晶界,造成合金沿晶断裂,冲击韧性下降;在600℃回火,由于温度较高,减少了磷向晶界偏聚的趋势,并有利于磷作长程扩散,此时磷主要偏聚在孔隙表面,使合金具有较高的冲击韧性,合金断口呈韧窝状

本章描述的是整个GIS理论中最为核心的内容。为了能够利用信息系统工 具来描述现实世界,并解决其中的问题,必须对现实世界进行建模。对于地理信息 系统而言,其结果就是空间数据模型。空间数据模型可以分为三种: 场模型:用于描述空间中连续分布的现象; 要素模型:用于描述各种空间地物; 网络模型:可以模拟现实世界中的各种网络; 在各种模型中,又介绍了相关的概念,如空间划分,空间关系,以及拓扑关系的形 式化描述9交模型等

1、客户的基本概念 2、客户的基本类型(依据客户的基本动机) 3、客户的基本要件与客户资格审查 4、客户的分级管理 5、客户的分群管理

第一章 电路的基本概念基本定律 § 1-1 电路及电路模型 § 1-2 电路基本物理量（电路变量） § 1-3 电功率和电能 § 1-4 基尔霍夫定律 § 1-5 电阻元件 § 1-6 电压源和电流源 § 1-7 用电位的概念分析电路 第二章 直流电路 § 2-1 电阻的串联、并联、混联 § 2-2 电阻的星形、三角形连接及等效变换 § 2-3 含源串联、并联和混联电路的等效化简 § 2-4 支路电流法 § 2-5 节点电位法（节点法） § 2-6 叠加定理 § 2-7 戴维南定理 § 2-8 含受控源电路的分析 § 2-9 最大功率传递定理 第三章 电容元件和电感元件 § 3-1 电容元件（简称电容） § 3-2 电容器的联接 § 3-3 电感元件（简称电感） 第四章 正弦交流电路 §4-1 正弦量的基本概念 §4-2 正弦量的有效值与平均值 §4-3 正弦量的相量表示 §4-4 基尔霍夫定律的相量形式 §4-5 单一元件VCR的相量形式 §4-6 R L C串联电路和复阻抗 §4-7 G、C、L并联电路和复阻抗 §4-8 正弦交流电路的计算 §4-9 正弦交流电路的功率 §4-10 功率因数的提高 §4-11 交流负载获得最大功率的条件 §4-12 三相电路 第五章 谐振电路 §5-1 串联谐振 §5-2 并联谐振 第六章 一阶动态电路和分析 §6-1 换路定律 §6-2 一阶电路的零输入响应 §6-3 直流激励下一阶电路的零状态响应 §6-4 一阶电路的全响应 §6-5 一阶电路的三要素法 §6-6 微分电路和积分电路 第七章 互感耦合电路 §7—1 互感和互感电压 §7—2 耦合电感的VCR §7—3 耦合电感的串联和并联 §7—4 耦合电感的T型去耦等效电路 §7—5 变压器