第九讲场效应管及其放大电路 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管

§9-1 静电场中的导体 §9-2 有导体时静电场的分析方法 §9-3 静电场中的电介质 §9-4 D矢量及其高斯定理 §9-5 电容和电容器 §9-6 静电场的能量

麦克斯韦方程的积分形式 D. ds =Eq 静电场 E. dl 0 B·ds=0 静磁场 .dl=ΣI 如果电场及磁场都在随时间变化,变化 磁场产生电场,变化电场产生磁场,电场和 磁场不可分割,称为电磁场

8-4高斯定理 一、电场线(电场的图示法) 规定 1、曲线上每一点切线方向为该点电场方向, 2、通过垂直于电场方向单位面积电场线数为该点电场强度的大小.E=E=dN/dS

4.1结型场效应管 4.2砷化镓金属-半导体场效应管 4.3金属氧化物-半导体场效应管 4.4场效应管放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较

一、磁场能量及能量密度 1、电磁能定域于场中 (1)电能定域于电场中,即场具有能量、电能储于电场中:w=d (2)同样,磁能也储于磁场中,场能密度为:Wm=B.H

§4.1 场效应晶体管(FET) § 4.1.1 结型场效应管 § 4.1.2 绝缘栅场效应管（MOS) § 4.1.4 场效应管的参数和型号 §4.2 场效应放大电路

第3章场效应与基本放大电路 3.1结型场效应管 3.2绝缘栅场效应管 3.3场效应管的主要参数、特点及使用注意事项

3.1结型场效应管 3.2绝缘栅型场效应管 3.3场效应管的主要参数及特点 3.4场效应管放大电路

3―1 结型场效应管 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―4 场效应管放大器