Bouc–Wen模型在非识别激励工况下模拟的阻尼力与实际阻尼力误差较大，对非识别激励振幅过于敏感，针对这一问题，提出了一种描述减振器滞回特性的改进模型。首先用Mechanical testing and simulation(MTS)疲劳试验机对磁流变减振器进行力学性能试验，获得在多种激励幅值、频率和电流作用下的阻尼力。采用阻尼力对位移的斜率与阻尼力关系来模拟滞回环特性曲线。根据滞回曲线特点利用二次多项式函数来表征滞回环斜率与阻尼力的关系，同时，引入关于速度的指数函数修正项，进而对改进后的Bouc–Wen模型进行参数识别，并对其进行仿真及验证。与试验得到的阻尼力进行对比，发现在非识别激励工况下，曲线吻合效果较好。对改进前后Bouc–Wen模型模拟的阻尼力特性曲线进行对比，结果表明：改进后模型得到的阻尼力仿真值能够较好地模拟试验得到的各种工况下阻尼力的值，且优于Bouc–Wen模型，同时Bouc–Wen模型在非识别激励工况下模拟阻尼力精度较差这一问题得到了改善。新模型为保证车辆悬架系统在多变工况下仿真响应的准确性打下了基础

Varela免疫网络模型是继Jerne独特性网络模型之后的第二代网络模型,Varela免疫网络模型描述的是没有外来抗原作用时的T、B细胞因子的动态平衡关系.本文在此基础上建立了一种考虑抗原的改进的Varela免疫网络模型.然后基于这种能够在一定程度上合理描述生物免疫特性的改进Varela免疫网络模型,构造了一类与被控对象无关的免疫控制器模型.以大惯性大滞后模型为被控对象,采用仿真的方法研究了该免疫控制器的特性.仿真研究与分析表明:该免疫控制器具有一定的记忆和自学习能力,具有较好的抗纯滞后及参数自适应性能.文中将这种免疫控制器的参数变化对控制系统的影响也作了仿真研究

测量的基本知识(包括误差、信号描述、测量装置的基本特性） 传感器技术（包括常用传感器原理） 信号处理技术（包括模拟和数字信号处理方法） 常用参量的测试（包括应力应变、力、振动、温度和流量） 综合试验（包括机械量的动态测量和控制） 第一讲 测试技术绪论 第三章 测试系统的基本特性 第四章 测试系统特性 第二章 测量技术 2.1、测量的基本知识 2.2、静动态试验数据的描述 2.3、测量系统的基本特性 第四章 传感器技术 第四章 常见参量的测试 4.3.1 温度测量的基本概念 4.3.2 热电偶测温 4.3.3 热电阻测温 4.3.4 非接触式测温

一、 地球空间模型描述 为了深入研究地理空间，有必要建立地球表面的几何模型。根据大地测量学的研究成果， 地球表面几何模型可以分为四类，分述如下： 第一类是地球的自然表面，它是一个起伏不平，十分不规则的表面，包括海洋底部、高 山高原在内的固体地球表面。固体地球表面的形态，是多种成分的内、外地貌营力在漫长的 地质时代里综合作用的结果，非常复杂，难以用一个简洁的数学表达式描述出来，所以不适 合于数字建模；它在诸如长度、面积、体积等几何测量中都面临着十分复杂的困难

第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试

1940年，应二战需要而开发的第一台电子计算装置问 世，人们才开始使用术语“计算机”的现代定义。 1945年，一组工程师开始进行一项秘密工程—建造 “电子离散变量自动计算机”，简称为EDVAC。此 前，在美国只建造一台能够运行的计算机。约 翰·冯·诺依曼—一位杰出的数学家在一个报告中对E D VA C计划进行了描述。冯·诺依曼的报告被称为“在 计算机科学史上最具影响力的论文”。该报告是最早 专门定义计算机部件并描述其功能的文档。在该报告 中，冯·诺依曼使用了术语“自动计算系统

PLD能做什么呢?可以毫不夸张的讲,PLD能完 成任何数字器件的功能,上至高性能CPU,下至简单 的74电路,都可以用PLD来实现。PLD如同一张白纸 或是一堆积木,工程师可以通过传统的原理图输入 法,或是硬件描述语言自由的设计一个数字系统。 通过软件仿真,我们可以事先验证设计的正确性。 在PCB完成以后,还可以利用PLD的在线修改能力, 随时修改设计而不必改动硬件电路。使用PLD来开发 数字电路,可以大大缩短设计时间,减少PCB面积, 提高系统的可靠性。PLD的这些优点使得PLD技术在 90年代以后得到飞速的发展,同时也大大推动了EDA 软件和硬件描述语言(HDL)的进步

教学重点、难点： 1 过程控制基础：自动控制系统基本概念，自动控制系统的组成，过渡过程与品质指标 2 被控对象特性：工业常用对象的特点及描述方法，对象特性参数及其测定方法，常见单容和双容工业对象应用 3 常用检测仪表：常用压力温度流量物位仪表的工作原理、特点、应用及选型 4 控制仪表及及控制规律：基本控制规律及其对系统过渡过程的影响，PID 运算原理，模拟控制器基本原理，数字控制算法， 5 执行器 ：执行器的基本组成，气动薄膜阀的结构、特点及应用，电动控制阀的结构、特点及应用，执行器气开气关形式及控制器正反作用的选择，控制阀口径的选择，仪表防爆技术 6 计算机控制系统：计算机控制系统的组成与特点，DDC 系统的基本原理，DCS、FCS 和SCADA 等常见计算机过程控制系统的基本概念 7 简单控制与复杂控制系统：简单控制系统的结构与组成，调节方案，调节规律及整定。串级调节系统，比值调节系统，均匀调节系统和前馈调节系统 8 工业自动化系统应用举例：石油加工，工业锅炉控制等

习题例题: 1.查阅资料,找出一个并行计算的典型应用,详细描述该应用在并行化方面成功和失败 之处以及遇到的困难:(从下列方面考虑:该应用是针对什么科学或者工程上的具仁 问题设计的;对于要解决的问题,该应用实际效果怎样,模拟结果和物理结果进行比 较的结果如何;该应用的运行在什么并行计算平台上;(比如分布式或共享内存,向 量机)这个应用使用那种开发工具开发的;该应用的实际工作性能怎样,和运行平台 最佳性能相比较;该应用的可扩展性如何?如果不好,你认为它的扩展性的瓶颈在何 处?)

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路