如果在晶体中存在温度梯度 w能流密度:0=-d一单位时间内通过单位面积的热能,其中为品体的热导系数。 不考虑电子对热传导的贡献,晶体中的热传导主要依靠声子来完成 当样品中存在温度梯度时,“声子气体”的密度分布是不均匀的。温度较高的区域将有产生较多的振 动模式和具有较大的振动幅度,即有较多的声子被激发,“声子”密度高。这些声子通过和晶体中其 它声子发生碰撞,使得温度较低的区域具有同样的“声子”密度

晶体的自由能函数:F(T,卩),根据P=-()x可以得到晶格的状态方程。 rF=-kThZ,Z=∑e--配分函数,对所有晶格的能级相加。 能级包含原子处于格点平衡位置时的平衡晶格能量U(V)和各格波的振动能∑(n+加

在晶体中同时可以存在不同频率的简谐振动,不同频率的振动模式其能量是不同的。 对于给定的晶体,总的振动模式数目是一定的,按振动频率有一个分布一一用晶格振动模式密度 来描述

晶格振动的频率和波矢的关系 皛格振动的色散关系,称为晶格振动的振动谱。 利用中子非弹性散射、X射线散射和光子与晶格的非弹性散射实验来测定晶格振动的振动谱

1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:

PN结的构成:半导体材料的一部分是N型半导体材料,一部分是P型半导体材料型。 N结的性质:单向导电性。电流随电压变化的特性如图XCH007012所示

同质结:由同种半导体材料构成的N区或P区,形成的PN结。如将两块带隙宽度相同、掺杂不 同的半导体材料,在一定的条件下生长在一起形成同质结。 异质结:两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块单晶上形成的结。 同型异质结:结的两边导电类型相同:NN,PP结 异型异质结:结的两边导电类型不相同:NP,PN结 对于异型异质结:两种材料的带隙不同

第三节 晶列和晶面的表示 第四节 倒格子 1.倒空间与正空间的几何关系 2.倒格矢 3.倒格子与正格子的关系

第五节 晶体的对称性 第六节 晶体衍射的一般知识 第七节 晶体的衍射方程 第八节 几何结构因子

PART ON填空问题 Q01_01001原胞中有P个原子。那么在晶体中有3支声学波和3p-3支光学 Q0101_002按结构划分,晶体可分为Z大晶系,共14布喇菲格子? Q01_01004面心立方原胞的体积为=a3;其第一布里渊区的体积为9*4(2)3 0101_005体心立方原胞的体积为g 第一布里渊区的体积为Ω*=2(2n)3