概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

主要为从事微电子材料抛光液与清洗剂的开发应用、生产以及销售。改进微电子产品生产工艺、提高其产品质量、降低其生产成本为目的。 生产产品主要包括： ➢ 以“FA/O 超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜布线化学机械全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液”为代表的国际首例高技术产品； ➢ 以“FA/O 集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液”、“FA/O 电子材料清洗剂、半导体材料切削液、倒角液、磨削液、活性剂”为代表的高技术更新换代产品。 产品主要应用于超大规模集成电路（ULSI）衬底半导体材料、半导体器件、正扩大应用于电视机玻壳，液晶显示屏、液晶显示屏基片玻璃、高档金属材料加工、蓝宝石、不锈钢模具及增加二次采油率等领域

人教版初中化学九年级下册第八单元 金属和金属材料课题1 金属材料习题(1)

2.1 固体材料的微裂纹理论 2.2 无机材料中微裂纹的起源 2.3 无机材料断裂强度的测试方法 2.4 显微结构对强度的影响

实验一 材料弯曲强度测定 .1 实验二 维氏硬度的测定.3 实验三 不良导体导热系数测定.7 实验四 材料色度的测定.12 实验五 材料介电常数的测定.18

超导材料概述 发展历史 产生条件 两个特征 两类超导体 微观机制 高温超导材料 超导材料的应用

结构设计计算方法发展过程: 1.容许应力法:以弹性理论为基础,但未考虑材料的塑性。 2.破坏阶段法:考虑了材料的塑性,但仅仅用一个笼统的安全系数考虑超载,材料的变异等。 3.极限状态法:用三个分项系数把不同的荷载、不同材料及不同构件的受力性质等用不同的安全系数区别开来。目前《公路桥规》采用该方法

2.1性能要求 在全息照像中,对于物体即目标有较高要 全息记录材料是全息技术赖以发展的重要物质求,尤其在2D、2D/3D全息图中,对拍摄H1的物体 基础之一。作为全息技术的一个重要研究领域,近的要求更为严格。2D、2D/3D全息图的物体,由高反 几十年来获得了迅速发展,各类新型记录材料不断差银盐干版充任,可得到较理想效果。全息照相对 涌现,已有记录材料的各项性能也日臻完善。卤化银盐干版的严格要求主要体现在分辨率和反差两个 银记录材料是其中一类传统的、应用最早、用范围性能指标上

1.断裂力学基本概念 2.显微结构对断裂韧性的影响 3.无机材料中裂纹的缓慢扩展 3.1 断裂力学基本概念 3.2 无机材料断裂韧性测试方法 3.3 显微结构对断裂韧性的影响 3.4 无机材料中裂纹的缓慢扩展

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