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极限电流型氧化锆电极氧传感器的研究
文档格式:PDF 文档大小:474.02KB 文档页数:6
从热力学和动力学出发,推导出该传感器的极限电流公式,从理论上找到了极限电流值与氧摩尔分数、气体扩散系数、温度和小孔几何尺寸等因素的关系。并推导出传感器的响应时间公式
二次阳极氧化工艺参数对摩擦系数的影响
文档格式:PDF 文档大小:444.54KB 文档页数:5
研究了二次阳极电解法在氧化膜沉积固体润滑剂工艺中各参数对摩擦系数的影响。发现溶液浓度、电流密度和pH值等对摩擦系数无明显的直接影响,但它们可与处理时间匹配能改变膜的色泽。膜的色泽加深使摩擦系数降低。加热处理可降低摩擦系数,当有氩气保护时,这种作用更为明显。分析了二次阳极处理后膜的摩擦系数下降的机理
球铁轧辊凝固过程中的计算机模拟
文档格式:PDF 文档大小:555.92KB 文档页数:7
采用直接差分方法对球墨铸铁轧辊凝固过程中不同时刻的温度场进行计算机模拟。在此基础上对不同时刻的体积变化也进行了模拟。利用计算机模拟可以定量地、准确地揭示出球铁轧辊凝固过程中体积变化的动态过程,为球铁轧辊无冒口铸造工艺提供了科学根据。试验表明,在计算机帮助下,采用无冒口铸造能可靠地生产出无缩孔、无缩松的致密球墨铸铁轧辊
冷轧钢板变形织构的理论模拟
文档格式:PDF 文档大小:570.53KB 文档页数:6
采用取向分布函数法研究了钢板中的轧制织构。其中以{110}滑移系滑移为基本变形机制,利用Sachs、Taylor、RC和PC等模型对轧制织构进行了理论模拟。这些理论模型可以再现体心立方金属冷轧过程中晶粒取向在{112},{111},{111}及{001}附近的聚集过程。分析表明{110}滑移系的滑移是体心立方金属十分重要的变形机制,适当参考各种变形模型可以更为准确地描述冷轧织构的形成过程。还根据冷轧织构的变化过程分析讨论了钢板应力和应变张量连续性等问题
计算机在“准晶”研究中的应用
文档格式:PDF 文档大小:458.7KB 文档页数:5
高分辨电子显微图(HREM)和电子衍射图(EDP)是研究物质结构的强有力工具,只有利用计算机才能对HREM和EDP进行有效的分析、处理。本文介绍计算机在研究新的物质形态——准晶态方面的应用,给出了有关的计算框图和根据准晶的HREM和EDP来研究其结构的实例
磁镜式双电极直流电弧炉特性
文档格式:PDF 文档大小:568.2KB 文档页数:6
对北京重型机器厂炼钢分厂5t磁镜式双电极直流电弧炉(简称直流电弧炉)和同容量三相交流电弧炉熔化期产生的噪音和频谱、磁镜线圈产生的稳恒磁场进行了初步研究。研究结果表明,与三相交流电弧炉相比直流电弧炉是一种理想的炼钢熔炼设备。直流炉噪音以易消除的高频噪音为主,与交流炉比较在熔化期的噪音可降低级15dB。熔池搅拌强度大,整个冶炼过程不需要人工搅拌,而且电弧稳定、定向燃烧,熔池升温速度快(4~6)℃/min
铬矿直接合金化的实验研究
文档格式:PDF 文档大小:476.92KB 文档页数:6
根据热力学原理分析了铬矿直接合金化的合理性及其影响因素,并对熔渣碱度、铬矿加入量和还原剂的影响进行了实验研究。其结果表明,熔渣碱度控制在1.5左右,加人铬矿后熔渣中Cr2O3含量低于30%,先用碳还原再用硅还原,可以获得较好的冶金效果
钝化304不锈钢单晶在硫酸含氯介质中的孔蚀
文档格式:PDF 文档大小:598.3KB 文档页数:7
采用交流阻抗技术,研究钝化304不锈钢单晶体在pH1.0,0.25mol/lNa2SO4含氯介质中的孔蚀行为。对孔蚀过程中的阻抗频谱特征进行了分析,提出孔蚀的发生和发展过程中都有复合物(MOHC1)形成。复合物进一步吸附更多的氯离子,导致溶解反应发生。并提出一个孔蚀的的反应机理模型,它与304不锈钢多晶体在硫酸含氯介质中的孔蚀机理没有本质的差别
SrCeO3基高温质子导体的制备与性能测定
文档格式:PDF 文档大小:586.22KB 文档页数:6
添加H3BO3,SrCl2或SrF2等助熔剂显著提高了焙烧得到的SrCe0.95Yb0.05O3-α陶瓷粉料的比重。添加2%SrF2使比重接近理论值。用此陶瓷粉料在较低温度较短时间条件下烧结即可得到密度符合固体电解质要求的烧结体。DTA、TG、XRD分析结果表明,助熔剂促使SrCeO3在较低温度下开始生成并使反应完全。交流阻抗谱、氢浓差电池电动势测定结果表明,助熔剂对电导率、离子活化能无明显影响。973K以下温度的质子迁移数接近1
铝阳极氧化膜二次阳极电解沉积MoS2
文档格式:PDF 文档大小:1.24MB 文档页数:8
观察了实验条件对恒电流密度下二次阳极处理电解沉积MoS2对应的电压时间关系曲线和膜颜色的影响。电子探针分析表明,沉积的固体润滑剂在整个孔的深度范围存在,但接近孔口的膜外表面下含量较高。透射电镜观察发现二次阳极处理过程实质上为二次阳极氧化过程,膜的阻挡层增厚,其厚度与电压的比值在1.0~1.4nm/V范围。原多孔膜底部未发生对应高电压的大孔的起源和发展。沉积MoS2的工艺使膜的硬度有所下降。膜的摩擦系数降低,耐磨性提高
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