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全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入( ) A.3 价元素 B.4 价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:99.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
中国水利水电出版社:《数字电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第2章 门电路(范立南、代红艳、恩莉、刘明丹)
文档格式:PPT 文档大小:836KB 文档页数:40
2.1分立元件门电路 2.2TTL集成逻辑门电路 2.3其他类型的TTL门电路 2.4Ms逻辑门 2.5使用逻辑门的几个实际问题
中国水利水电出版社:《数字电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第9章 可编程逻辑器件
文档格式:PPT 文档大小:1.26MB 文档页数:30
1.PLD器件的发展概况 2.可编程逻辑器件的特点 (1)减少系统的硬件规模。 (2)增强逻辑设计的灵活性。 (3)缩短系统设计周期。 (4)简化系统设计,提高系统速度。 (5)降低系统成本
电子科技大学:《数字系统EDA技术》第六章 VHDL设计应用实例
文档格式:PPT 文档大小:1.48MB 文档页数:40
6.18位加法器的设计 1、设计思路 多位加法器的构成方式:并行进位 串行进位 并行进位:速度快、占用资源多 串行进位:速度慢、占用资源少
电子科技大学:《数字系统EDA技术》数字钟设计及显示
文档格式:PPT 文档大小:1.26MB 文档页数:36
例12数字钟设计及显示 设计要求 1、具有时、分、秒,计数及数码管显示功能,以24小时循环计时。 2、具有清零,调节小时、分钟功能
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