在不同本底真空和工作气压下制备了不同厚度的Ni81Fe19/Ta薄膜,并进行了磁性测量和原子力显微镜分析.结果表明,较厚的薄膜、较高的本底真空和较低的工作气压下制备的薄膜有较大的各向异性磁电阻.其原因是高本底真空和低工作气压导致大晶粒度和低粗糙度,进而降低电子的散射,减小电阻R,增大△R/R.而较厚薄膜中,大晶粒度的作用将抵消高粗糙度的负作用,使△R/R值增大

用热丝法研究了WC-6%Co硬质合金刀片金刚石薄膜涂层附着力。结果表明:采用温度为80℃,(HCl:HNO3:H2O)(体积比)为1:1:1溶液对硬质合金刀片表面去Co 15min后,经40μm金刚石粉及1.5μm金刚石加20μmTaC混合粉进行超声预处理,结果表明,沉积的金刚石薄膜与硬质合金刀片基底具有良好的附着力,而经40μm金刚石粉处理的薄膜涂层组织与附着力要好一些

选用对烯丙氧基苯甲酸胆固醇酯(ACB)/甲基丙烯酸β-羟乙酯(HEMA)/液晶(LC)/光引发剂(IRG-651)/玻璃微珠(SP-220)复合体系,在紫外光照射下制备了聚合物分散液晶(PDLC)薄膜.结果表明:虽然ACB没有参与聚合,但却明显地提高了PDLC薄膜的对比度.在紫外光(365.0 nm)辐照度为15.0 mW·cm-2、照射温度为303.2 K、照射时间为10.0 min的条件下,ACB/HEMA/LC/IRG-651/SP-220的比例(质量分数)为6.2%/18.5%/74.0%/0.3%/1.0%时,所制备的PDLC薄膜具有高对比度和较佳的电-光性能

研究了Si/Ta/NiMn/Al和Si/NiFe/NiMn/Al多层膜中NiMn薄膜经300℃ 5 h不同次数循环退火后的有序化情况，X射线衍射定量计算结果表明，高温循环退火能极大地促进NiMn薄膜的有序化、NiMn薄膜中有序相的含量随退火循环数的增加而持续增加，但含NiFe层的膜有序化过程要比无NiFe层时级慢．显然，NiFe对NiMn的有序化有阻碍作用．

在分析金属薄膜磁电阻传感器非线性产生原因的基础上,提出了几种设计AMR(各向异性磁电阻)薄膜磁电阻传感器时改善其线性度的方法.用直流磁控溅射方法制备了Ni80Fe20和Ni65Co35AMR薄膜材料;用微加工工艺制做出了几种AMR传感器元件,并给出了测试结果

根据传统擦伤电极试验原理,自行设计了一套用于薄膜材料钝化过程研究的装置,由于它采用的是断裂方式产生裸表面,因而克服了传统擦伤方式裸表面逐渐暴露于介质的弱点,能直接测量到真实反映钝化过程的电流衰减曲线。利用这套装置对磁控溅射晶态与非晶态不锈钢合金薄膜在3.5%NaCl溶液中的钝化过程进行了比较研究,结果表明非晶薄膜的裸表面具有更高的反应活性及更快的钝化膜形成速度

一、元素的热蒸发 二、 化合物与合金的热蒸发 三、蒸发沉积薄膜的均匀性 四、制备薄膜材料的各种蒸发方法

一、元素的热蒸发 二、化合物与合金的热蒸发 三、蒸发沉积薄膜的均匀性 四、制备薄膜材料的各种蒸发方法

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论