以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相

铝合金具有密度小，比强度高等一系列优异的性能而受到研究者的关注，但其易腐蚀的特点严重制约了其应用范围，因此需要采取适当的方法增强其耐蚀性能。水滑石薄膜具有良好的耐蚀性与离子交换性能，近年来在铝合金表面改性技术的研究逐渐增多。本文介绍了多种制备水滑石薄膜的方法，探究不同实验条件对薄膜形貌与耐蚀性的影响；详述了几种常用的改性方法与原理，对目前研究中存在的局限性进行了讨论，并展望了未来研究的重点与发展方向

研究了Si/Ta/NiMn/Al和Si/NiFe/NiMn/Al多层膜中NiMn薄膜经300℃ 5 h不同次数循环退火后的有序化情况，X射线衍射定量计算结果表明，高温循环退火能极大地促进NiMn薄膜的有序化、NiMn薄膜中有序相的含量随退火循环数的增加而持续增加，但含NiFe层的膜有序化过程要比无NiFe层时级慢．显然，NiFe对NiMn的有序化有阻碍作用．

作为纳米技术领域的一种新材料，金属--有机骨架( metal-organic framework，MOF) 薄膜材料( 也称为 SUＲMOFs) 获得了越来越多研究者的关注． 多种合成方法的不断提出，为大量合成膜厚度、均匀性、形态、甚至维度均可控的 MOF 薄膜材料提供了可能性，并为薄膜材料在更多领域中的应用提供了机会．

以一种特定成分的有机硅为原料,采用溶胶-凝胶法,在硅基片上制备出用于光波导器件的薄膜.通过折射率和厚度测试及XPS成分测试验证了此薄膜具有较好的均匀性、厚度和光学特性,满足光波导器件的要求.分析了溶胶-凝胶法中常见的龟裂现象的原因以及采预防方法.利用这种薄膜结合微电子加工工艺制备出光波导器件阵列波导光栅

一、元素的热蒸发 二、化合物与合金的热蒸发 三、蒸发沉积薄膜的均匀性 四、制备薄膜材料的各种蒸发方法

应用微波等离子体辅助的化学气相沉积(MPCVD)工艺成功地实现了金刚石薄膜在700-790℃范围内的低温沉积.发现氧在CH4-H2系统中的引入不仅可以减小或消除Raman谱上位于1550cm-1的非金刚石特征峰,而且还使位于1332cm-1的金刚石特征峰半高宽显著减小。正是由于原子态氧在较低温度下具有远比原子态氢强烈得多的对石墨和类金刚石碳的刻蚀作用,才用金刚石的低温生长得以顺利进行。本文详细报导了金刚石薄膜低温沉积工艺及其所得薄膜的表征结果,并就Bachmann等最近提出C-H-O金刚石相图针对低温沉积数据进行了讨论

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

选用对烯丙氧基苯甲酸胆固醇酯(ACB)/甲基丙烯酸β-羟乙酯(HEMA)/液晶(LC)/光引发剂(IRG-651)/玻璃微珠(SP-220)复合体系,在紫外光照射下制备了聚合物分散液晶(PDLC)薄膜.结果表明:虽然ACB没有参与聚合,但却明显地提高了PDLC薄膜的对比度.在紫外光(365.0 nm)辐照度为15.0 mW·cm-2、照射温度为303.2 K、照射时间为10.0 min的条件下,ACB/HEMA/LC/IRG-651/SP-220的比例(质量分数)为6.2%/18.5%/74.0%/0.3%/1.0%时,所制备的PDLC薄膜具有高对比度和较佳的电-光性能

1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论