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一、CE概述 1.经典平板电泳的最大局限: 高压电场产生的焦耳热效应,导致 电泳区带展宽,分离度降低。这种影响 还会由于电场强度的增大而迅速加剧, 极大地限制了高电压的使用,难以提高 电泳分离速度
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本文用金相显微镜和扫描电镜对定向凝固试样中各种石墨形态的转化进行了观察分析。结果表明:随着残留稀土元素含量的下降,石墨形态会出现球墨→蠕墨→片墨的序列转化,并且,这些转变都是一个连续的过程,无需重新形核。电子探针分析结果表明:在蠕虫状石墨的生长前沿有稀土元素Ce的富集。此外,还对冷却速度和稀土元素含量对石墨形态的交互作用进行了分析。结果表明:在不出现白口的条件下,提高冷却速度(即凝固速度)与增加稀土元素含量有相似的效果
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针对自由晶粒阻塞流头的流头阻塞机制,推导出晶粒大小与合金流动性关系的数学模型。将适用于匀晶系及共晶系成份位于相图C0 ≤ k0CE-角的合金成份与晶粒大小的关系式H代入此模型,得到了合金成份、结晶间隔与流动性的定性关系式。利用前人对共晶系合金所做的实验数据验证表明,这些模型适用于共晶系合金
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研究了几种钙钛矿结构以及类钙钛矿结构材料的电导性能.实验表明,La0.8Sr0.2MnO3, La0.8Sr0.2Ni0.1Mn0.9O3,La0.8Sr0.2Ce0.1Mn0.9O3和SrFe0.5Co0.5O3电导率相差不大,均为10-1S·cm-1数量级;高温熔盐中耐侵蚀性能优良的LaLiMnOy和LaLi0.5MnOy电导率差别很大,前者电导率大于1 S·cm-1,达到了MCFC阴极对材料电导性能要求,而后者仅为10-2S·cm-1数量级.高达0.191 eV的电导激活能可能是LaLi0.5MnOy电导率过低的原因
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利用光电子能谱XPS研究CeO2包覆TiO2后氧化还原性能.TEM照片证明实验中制备出包覆材料;Ce3d谱线说明加入TiO2后CeO2非常容易还原,吸氧时它能够再氧化.由于CeO2的晶体结构发生畸变,CeO2的活化能降低,有利于氧空位移动,所以CeO2容易还原氧化
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基于对9个侧边二元系RECl3-SrCl2、RECl3-LiCl、SrCl2-LiCl(其中RE:La、Ce、Pr、Nd)热力学数据和实验相图信息的优化、评估,以及三元系相关热力学性质的分析,计算并讨论了RECl3-SrCl2-LiCl系列4个三元系相图
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提出了一种由锥形螺旋体所组成的球状石墨结构模型,同时给出了单个锥形螺旋体的主要剖面图。每个锥形螺旋体中石墨的{0001}面绕着锥对称轴连续螺旋生长,其〈0001〉方向近似乎行于锥对称轴。Mg和Ce添加对石墨形核的影响也进行了讨论。这一模型可以更好地解释球状石墨各种截面的组织特征,而且与实验结果基本一致
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采用含有不同含量磷的电子轰击纯铁作样品,经脱碳脱氮后,用低频倒扭摆测量其300—800℃之间的内耗值。结果表明,磷含量在0.007—0.28wt%之间的五根样品,分别于580℃和470℃左右出现两个内耗峰,激活能分别为2.13ev和1.80ev。经高温保温一定时期淬火处理后,这两个峰全部消失。由此看出,580℃左右的峰可能是Fe—p的ss峰,而470℃的峰可能是纯铁的PM峰。本文还研究了一根含稀土元素铈的铁磷合金的内耗。发现在703℃、601℃和500℃相应出现三个内耗峰。初步认为,它们分别是Fe—Ce的ss峰、Fe—P的ss峰和纯铁的PM峰
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以《无机物热力学数据库》为依据,给出了Pb、Sn、In、Ga、Ce 等化合物的△G°~T二项式和关系图。Sn及常量配比的Pb-Sn合金,经常温大气腐蚀、155℃干热大气腐蚀或水蒸汽腐蚀,表面腐蚀层用X光光电子能谱分析(XPS或ESCA)确定主要是SnO2(含有极少量的Pb3O4),此结果与热力学分析结果一致。Pb经155℃ 干热大气腐蚀,表面腐蚀区主要是Pb3O4。由热力学分析,提出了可能成为抗氧化Pb-Sn 焊料的掺杂元素
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In this paper the phase diagrams of LaCl3-LiCl and CeCl3-LiCl systems have been experimentally determined and theoretically calculated. Bath are simple eutectic systems. The eutectic points are at 25mol% LaCl3, 508℃ and 27mol% CeCl3, 494℃, respectively. The optimized phase diagrams and thermodynamical data of LaCl3-LiCl and CeCl3-LiCl systems with self consistency are a better basis for constructing ternary phase diagrams
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