采用固相反应法合成了LiFePO4正极材料。在20mA/g的电流密度下进行恒电流充放电,比容量可以达到135mAh/g。为了改进LiFePO4的性能,提高其高倍率性能,尝试了两种途径并合成出Li(Fe0.8Mn0.2)PO4和LiFePO4/C。低倍率充放电实验得出的两个样品的比容量分别可达到145mAh/g和144mAh/g,而且表现出了良好的循环性能和平坦的电压平台。以上两种方法制备出的材料均具有较好的高倍率性能

以薄板坯连铸连轧(CSP)工艺下生产的含B和无B低碳热轧、罩式退火板为实验材料,研究了B对低碳深冲钢板织构的影响.利用电解化学相分析、内耗和拉曼实验等方法和结果,从化学成分、析出物两个方面对热轧、退火板中织构的形成与发展进行了系统分析.结果表明:无B热轧板的AlN含量比含B热轧板中的高,后者的织构优于前者;退火板中含B钢和无B钢中AlN含量几乎相等,然而无B退火板织构优于含B退火板的.AlN不是影响织构发展的唯一决定因素,B、BN也会影响织构的发展

采用煤油做试剂、在160~180℃的热分解反应温度下,通过羰基铁的热分解合成单分散性的铁纳米粉末.合成的纳米铁微粒随着反应初始物羰基铁的浓度从0.296mol/L(加入量3.6mL)增加到0.444mol/L(加入量5.4mL)时,其平均尺寸从11.2nm减小到8.6nm,而且它们的形状都是球形.合成的纳米铁微粒通过高分辨率的电子显微镜显示出无定形结构,其表面很容易氧化成尖晶石的四氧化三铁结构

研究了丙烯酸聚氨酯清漆涂层在荧光紫外UVA辐照/凝露和氙灯辐照/雨淋两种加速实验程序下的物理、化学性能和防护屏障性与暴露时间的关系.结果表明:氙灯辐照/雨淋对涂层的膜厚损失、失光率的影响程度略大于同周期UVA加速的效果;而黄色指数及不同暴露周期的完整涂层的低频阻抗模值与暴露时间的关系则与FTIR反映的羰基指数的变化规律较为一致,显示UVA加速涂层老化的效果大于同周期氙灯加速效果.且在两种加速条件下,完整涂层的低频阻抗模值均与暴露时间呈指数规律衰减,表现出较好的时间函数关系;说明EIS的低频阻抗模值与UV光辐射产生的涂层性能的变化有一定的相关性,并很好地反映其防护屏障性,可作为有效的监测参量用于建立室内外老化实验的相关性,预测光老化涂层的防护寿命

以转炉污泥为原料,配入有机和无机复合结合剂,采用压制成型和低温焙烧的方法研制了高性能转炉污泥球团,并探索了影响球团强度的各种因素.试验发现球团强度随着焙烧温度的升高,球团强度增加,当温度达到大约873 K时强度达到极值;当温度超过873 K时,随着有机结合剂及结晶水的挥发,球团强度又明显下降;当温度超过1300K时,固相扩散增加,并出现液相烧结,因而球团强度显著增加.对影响球团强度的因素进行了模式识别分析,找到了目标优化区,确定了适宜的球团生产工艺条件

在LECO436氧氮分析仪上研究了1600~2813℃温度范围内钢液脱氮动力学。结果表明:温度低时,脱氮受液相边界层传质及界面化学反应混合控制,温度高时,脱氮受液相边界层传质过程控制。在2250℃以下,温度对k1'的影响服从Arrhenius公式。硫对脱氮的阻碍作用随着温度的升高而降低,在温度2250℃以上,硫的表面活性作用消失

分别在空气和N2中高温烧结得到了不同掺杂浓度的Fe3O4:Zn粉末.X射线衍射(XRD)结果表明,空气中烧结使得样品过氧化,生成大量的α-Fe2O3相,而N2环境下烧结可以获得较纯的ZnxFe3-xO4相.Zn2+在反尖晶石结构中A位的替位掺杂,影响到B位Fe阳离子的价态分布,电子输运依然保持了电子变程跳跃的传导机制.磁性测量结果显示低浓度的Zn2+掺杂对Fe阳离子之间的超交换耦合作用产生影响,也使负的磁致电阻的数值有所改善

提出了一种高孔隙率开孔泡沫金属的结构简化几何模型,运用热电比拟理论在胞孔尺度上分析并求解了有效热导率的计算表达式,并根据已有实验数据进行模型修正.同时模拟分析了金属泡沫三维矩形通道内空气流动的对流换热情况,与实验结果进行了对比验证.研究表明,本文提出的胞孔有效热导率修正模型对铝泡沫金属有一定的适用性;相同孔隙率条件下,泡沫金属通道内强制对流的对流换热系数随孔密度的增加(即孔径的减小)而增大,但付出的代价是阻力也随之增大;相对而言,低孔密度的泡沫金属具有较好的对流换热综合性能

在机群系统中,机群的互连网络性能对整个机群系统的性能有着至关重要的影响.机群系统要求互连网络具有高带宽、低延迟、高可靠等特性,传统的互连网络接入方法基本上基于PCI接口.本文提出了基于DDR DIMM内存总线的接入思想,采用可编程逻辑器件FPGA实现网络接口设计,通过直接读写内存方式提高并行接入带宽,并将部分通讯协议下载到网卡上以提高计算和通讯的速度.实测表明,在不包括上层协议的情况下,接口卡的数据接入带宽可达3120Mbps,给出了基于FPGA的实现方法,并用Xilinx Virtex-Ⅱ Pro-20 FPGA进行了仿真和验证

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求